當(dāng)前位置:首頁(yè) > 電源 > 電源
[導(dǎo)讀]效率是任何開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的重要指標(biāo),特別是便攜式產(chǎn)品,延長(zhǎng)電池使用壽命是一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)。對(duì)于空間受限的設(shè)計(jì)或者是無(wú)法投入成本解決功率耗散問(wèn)題的產(chǎn)品,高效率也是改善系統(tǒng)熱管理的必要因素。

本文詳細(xì)介紹了開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中各個(gè)元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測(cè)技術(shù),并討論了提高開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點(diǎn),以選擇最合適的芯片來(lái)達(dá)到高效指標(biāo)。本文介紹了影響開(kāi)關(guān)電源效率的基本因素,可以以此作為新設(shè)計(jì)的準(zhǔn)則。我們將從一般性介紹開(kāi)始,然后針對(duì)特定的開(kāi)關(guān)元件的損耗進(jìn)行討論。

一、效率估計(jì)

能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%.

絕大多數(shù)電源IC的工作效率可以在特定的工作條件下測(cè)得,數(shù)據(jù)資料中給出了這些參數(shù)。Maxim的數(shù)據(jù)資料給出了實(shí)際測(cè)試得到的數(shù)據(jù),其他廠商也會(huì)給出實(shí)際測(cè)量的結(jié)果,但我們只能對(duì)我們自己的數(shù)據(jù)擔(dān)保。圖1給出了一個(gè)SMPS降壓轉(zhuǎn)換器的電路實(shí)例,轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到97%,即使在輕載時(shí)也能保持較高效率。

采用什么秘訣才能達(dá)到如此高的效率?我們最好從了解SMPS損耗的公共問(wèn)題開(kāi)始,開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件(MOSFET二極管),另外小部分損耗來(lái)自電感和電容。但是,如果使用非常廉價(jià)的電感和電容(具有較高電阻),將會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗明顯增大。

選擇IC時(shí),需要考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件,以期獲得高效指標(biāo)。例如,圖1采用了多種方法來(lái)降低損耗,其中包括:同步整流,芯片內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET,低靜態(tài)電流和跳脈沖控制模式。我們將在本文展開(kāi)討論這些措施帶來(lái)的好處。

 

 

圖1. MAX1556降壓轉(zhuǎn)換器集成了低導(dǎo)通電阻的MOSFET,采用同步整流,可以達(dá)到95%的轉(zhuǎn)換效率,效率曲線如圖所示。

二、降壓型SMPS

損耗是任何SMPS架構(gòu)都面臨的問(wèn)題,我們?cè)诖艘詧D2所示降壓型(或buck)轉(zhuǎn)換器為例進(jìn)行討論,圖中標(biāo)明各點(diǎn)的開(kāi)關(guān)波形,用于后續(xù)計(jì)算。

 

 

圖2. 通用降壓型SMPS電路和相關(guān)波形,對(duì)于理解SMPS架構(gòu)提供了一個(gè)很好的參考實(shí)例。

降壓轉(zhuǎn)換器的主要功能是把一個(gè)較高的直流輸入電壓轉(zhuǎn)換成較低的直流輸出電壓。為了達(dá)到這個(gè)要求,MOSFET以固定頻率(fS),在脈寬調(diào)制信號(hào)(PWM)的控制下進(jìn)行開(kāi)、關(guān)操作。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),輸入電壓給電感和電容(L和COUT)充電,通過(guò)它們把能量傳遞給負(fù)載。在此期間,電感電流線性上升,電流回路如圖2中的回路1所示。 當(dāng)MOSFET斷開(kāi)時(shí),輸入電壓斷開(kāi)與電感的連接,電感和輸出電容為負(fù)載供電。電感電流線性下降,電流流過(guò)二極管,電流回路如圖中的環(huán)路2所示。MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間定義為PWM信號(hào)的占空比(D)。D把每個(gè)開(kāi)關(guān)周期分成[D × tS]和[(1 - D) × tS]兩部分,它們分別對(duì)應(yīng)于MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間(環(huán)路1)和二極管的導(dǎo)通時(shí)間(環(huán)路2)。所有SMPS拓?fù)?降壓、反相等)都采用這種方式劃分開(kāi)關(guān)周期,實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。 對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換電路,較大的占空比將向負(fù)載傳輸較多的能量,平均輸出電壓增加。相反,占空比較低時(shí),平均輸出電壓也會(huì)降低。根據(jù)這個(gè)關(guān)系,可以得到以下理想情況下(不考慮二極管或MOSFET的壓降)降壓型SMPS的轉(zhuǎn)換公式: VOUT = D × VIN IIN = D × IOUT 需要注意的是,任何SMPS在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)處于某個(gè)狀態(tài)的時(shí)間越長(zhǎng),那么它在這個(gè)狀態(tài)所造成的損耗也越大。對(duì)于降壓型轉(zhuǎn)換器,D越低(相應(yīng)的VOUT越低),回路2產(chǎn)生的損耗也大。

1、開(kāi)關(guān)器件的損耗 MOSFET傳導(dǎo)損耗

 

 

圖3. 典型的降壓型轉(zhuǎn)換器的MOSFET電流波形,用于估算MOSFET的傳導(dǎo)損耗。下式給出了更準(zhǔn)確的估算損耗的方法,利用IP和IV之間電流波形I²的積分替代簡(jiǎn)單的I²項(xiàng)。 PCOND(MOSFET) = [(IP³ - IV³)/3] × RDS(ON) × D = [(IP³ - IV³)/3] × RDS(ON) × VOUT/VIN 式中,IP和IV分別對(duì)應(yīng)于電流波形的峰值和谷值,如圖3所示。MOSFET電流從IV線性上升到IP,例如:如果IV為0.25A,IP為1.75A,RDS(ON)為0.1Ω,VOUT為VIN/2 (D = 0.5),基于平均電流(1A)的計(jì)算結(jié)果為: PCOND(MOSFET) (使用平均電流) = 1² × 0.1 × 0.5 = 0.050W.

利用波形積分進(jìn)行更準(zhǔn)確的計(jì)算: PCOND(MOSFET) (使用電流波形積分進(jìn)行計(jì)算) = [(1.75³ - 0.25³)/3] × 0.1 × 0.5 = 0.089W 或近似為78%,高于按照平均電流計(jì)算得到的結(jié)果。對(duì)于峰均比較小的電流波形,兩種計(jì)算結(jié)果的差別很小,利用平均電流計(jì)算即可滿足要求。

2、二極管傳導(dǎo)損耗

MOSFET的傳導(dǎo)損耗與RDS(ON)成正比,二極管的傳導(dǎo)損耗則在很大程度上取決于正向?qū)妷?VF)。二極管通常比MOSFET損耗更大,二極管損耗與正向電流、VF和導(dǎo)通時(shí)間成正比。由于MOSFET斷開(kāi)時(shí)二極管導(dǎo)通,二極管的傳導(dǎo)損耗(PCOND(DIODE))近似為: PCOND(DIODE) = IDIODE(ON) × VF × (1 - D) 式中,IDIODE(ON)為二極管導(dǎo)通期間的平均電流。圖2所示,二極管導(dǎo)通期間的平均電流為IOUT,因此,對(duì)于降壓型轉(zhuǎn)換器,PCOND(DIODE)可以按照下式估算: PCOND(DIODE) = IOUT × VF × (1 - VOUT/VIN) 與MOSFET功耗計(jì)算不同,采用平均電流即可得到比較準(zhǔn)確的功耗計(jì)算結(jié)果,因?yàn)槎O管損耗與I成正比,而不是I?. 顯然,MOSFET或二極管的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng),傳導(dǎo)損耗也越大。對(duì)于降壓型轉(zhuǎn)換器,輸出電壓越低,二極管產(chǎn)生的功耗也越大,因?yàn)樗幱趯?dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間越長(zhǎng)。

3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗

由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的,很難估算MOSFET和二極管的開(kāi)關(guān)損耗,器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間,在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生功率損耗。

圖4所示MOSFET的漏源電壓(VDS)和漏源電流(IDS)的關(guān)系圖可以很好地解釋MOSFET在過(guò)渡過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗,從上半部分波形可以看出,tSW(ON)和tSW(OFF)期間電壓和電流發(fā)生瞬變,MOSFET的電容進(jìn)行充電、放電。 圖4所示,VDS降到最終導(dǎo)通狀態(tài)(= ID × RDS(ON))之前,滿負(fù)荷電流(ID)流過(guò)MOSFET.相反,關(guān)斷時(shí),VDS在MOSFET電流下降到零值之前逐漸上升到關(guān)斷狀態(tài)的最終值。開(kāi)關(guān)過(guò)程中,電壓和電流的交疊部分即為造成開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源,從圖4可以清楚地看到這一點(diǎn)。

 

 

圖4. 開(kāi)關(guān)損耗發(fā)生在MOSFET通、斷期間的過(guò)渡過(guò)程 開(kāi)關(guān)損耗隨著SMPS頻率的升高而增大,這一點(diǎn)很容易理解,隨著開(kāi)關(guān)頻率提高(周期縮短),開(kāi)關(guān)過(guò)渡時(shí)間所占比例增大,從而增大開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中,開(kāi)關(guān)時(shí)間是占空比的二十分之一對(duì)于效率的影響要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于開(kāi)關(guān)時(shí)間為占空比的十分之一的情況。由于開(kāi)關(guān)損耗和頻率有很大的關(guān)系,工作在高頻時(shí),開(kāi)關(guān)損耗將成為主要的損耗因素。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國(guó)汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開(kāi)發(fā)耗時(shí)1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動(dòng) BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來(lái)越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時(shí)企業(yè)卻面臨越來(lái)越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場(chǎng)的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開(kāi)幕式在貴陽(yáng)舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語(yǔ)權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對(duì)環(huán)境變化,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤(rùn)率延續(xù)升勢(shì) 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長(zhǎng) 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營(yíng)商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國(guó)電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長(zhǎng)三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會(huì)上,軟通動(dòng)力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱"軟通動(dòng)力")與長(zhǎng)三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉