PWM pulse width modulation
PFM pulse frequency modulation
AAM advanced asynchronous modulation
CCM continue current modulation
EN/SYNC 芯片內(nèi)部并聯(lián)6.5V齊納二極管(驅(qū)動電壓≤6V時,EN可直接連接;其他電壓時需串聯(lián)電阻限制驅(qū)動電流),并聯(lián)1M電阻到地(EN懸空時,芯片不工作);SYNC時滿足時鐘要求200kHz~20MHz
BST bootstrap 為high-side SW提供抬升電壓,也可外接BST二極管,增加效率
high-side Driver MOSFET floating,需要高壓驅(qū)動
low-side Driver MOSFET接地,不需要高壓驅(qū)動
電容計算:D(1-D)*Iload=C1*△U/△T
占空比D=Vout/Vin,△U為紋波電壓,C1與輸入紋波成反比,C2與輸出紋波成反比,電容越大,紋波越??;電容太大了,電路通斷時,浪涌電流會過大,損壞元器件;電容等效阻抗(ESR)越低越好。
電阻計算:Vout/(R1+R2)=0.807/R2
VCC/(R3+R5)=AAM/R5
AAM輸入高時芯片強制為CCM,AAM電壓值越小,越穩(wěn)定紋波越小,效率低瞬態(tài)差;AAM電壓值越大,效率高瞬態(tài)好,紋波大穩(wěn)定度差。
電感計算:D*(Vin-Vout)=L1*△IL/△T
ILmax=Iload+△IL/2
占空比D=Vout/Vin,紋波電流△IL約為最大負載電流的30%,△U為輸入紋波電壓;電感的額定電流(飽和電流和溫升電流)至少比最大負載電流高25%;電感的直流阻抗小于15mΩ。
由公式看出,電感值與紋波電流成反比,電感值越大,紋波電流越小,效率越高(輕載時);重載時,電感阻礙電流突增,電感太大會影響瞬態(tài)響應。
負載不穩(wěn)時,開關電源會自我調(diào)節(jié)占空比,可能會與20Hz~20kHz頻率重調(diào),產(chǎn)生嘯叫;電流通過電感線圈,產(chǎn)生磁場,引起線圈振動,也可能產(chǎn)生嘯叫。
飽和電流:是電感值下降10%~30%的電流;溫升電流:電感溫度不高于40℃的電流。
PCB layout:FB信號走線越短越好,遠離BST、SW等。