全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫！

三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性，每個(gè)閃存存儲(chǔ)單元都可以確保100萬次的擦寫循環(huán)，是市面上方案50萬次的兩倍，因此性能也是極為出色的。

而通過對(duì)閃存單元架構(gòu)、操作機(jī)制的雙重改進(jìn)，測(cè)試芯片的隨機(jī)訪問性能、能耗相比于上代80nm eFlash分別提升了50%、25%。

三星計(jì)劃在2014年下半年出貨基于45nm eFlash的智能卡電路的樣品。除此之外，這種嵌入式閃存還可用于NFC、eSE(嵌入式安全設(shè)備)、TPM(可信賴平臺(tái)模塊)等領(lǐng)域。