RAMTRON推出2KB鐵電微控制器 VRS51L3072

eepw　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(f-ram)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)ramtroninternationalcorporation宣布推出帶2kb非易失性f-ram以8051為基礎(chǔ)的微控制器(mcu)--vrs51l3072。ramtron將f-ram添加到其快速靈活的versa8501產(chǎn)品中，以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理系統(tǒng)，而這是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想選擇，包括從傳感器與計(jì)量儀表到工業(yè)控制、儀表與醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用。

　　ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理davidlee稱：“我們針對需要較低密度f-ram進(jìn)行實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和存儲的客戶，擴(kuò)展了versa8051產(chǎn)品系列即推出帶2kbf-ram的mcu。vrs51l3072的高性能內(nèi)核可控制外設(shè)及采集數(shù)據(jù)，而其板載數(shù)字信號處理(dsp)功能則會處理數(shù)據(jù)，然后存儲在f-ram內(nèi)。這款產(chǎn)品與我們的8kbf-rammcu引腳兼容，對于那些需要少于8kbf-ram的應(yīng)用來說，是一種別具成本效益的替代方案。”

f-ram替代flash/eeprom存儲非易性數(shù)據(jù)存儲

　　f-ram能夠消除flash數(shù)據(jù)存儲器相關(guān)的先頭編碼、有限的耐用性及flash/eeprom延長的寫入周期，從而簡化設(shè)計(jì)流程。與flash不同，f-ram字節(jié)無需首次擦除整個(gè)扇區(qū)即可進(jìn)行改動，使用更為便捷。而且與flash/eeprom不同的是f-ram能夠無限次的讀/寫和快速寫入數(shù)據(jù)。

　　vrs51l3072將2kbf-ram與完全集成的高性能系統(tǒng)級芯片(system-on-chip)相結(jié)合，其特性包括40mips單周期8051內(nèi)核、同時(shí)具有isp和iap編程功能的64kbflash、4kbsram、數(shù)字信號處理(dsp)擴(kuò)展功能及穩(wěn)健的數(shù)字外圍設(shè)備。vrs51l3072在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)以3.3v電壓工作，是多種先進(jìn)應(yīng)用的理想嵌入式數(shù)據(jù)采集解決方案。