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[導讀]Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內存封裝技術“x

Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內存封裝技術“xFD”,比傳統(tǒng)的雙die封裝形式(DDP)更進一步。也許在未來的某一天,我們將能夠看到只有兩顆乃至一顆芯片內存條了。

xFD全稱multi-die face-down,是一種基于焊線(wirebond)的多die封裝技術,將多顆DRAM IC以面朝下的方式封裝在一顆芯片內,并采用類似windows-BGA封裝的短焊線結構,號稱:

- 提升容量,整體元件尺寸比傳統(tǒng)方案縮小25-35%,主要是垂直高度大大降低;

- 增強電氣性能,同時因為上下die性能均衡而可將良品率提升50-70%;

- 比傳統(tǒng)雙die封裝(DDP)熱傳輸效率提升20-30%。

xFD技術現(xiàn)在有兩種形式,一是“DFD”(Dual Face Down),單芯片封裝兩顆x4/x8/x16 DRAM die,其中x4/x8版本采用104 BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米,x16版本采用136 BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。

二是“QFD”(Quad Face Down),單芯片封裝四顆x8/x15 DRAM die,256 BGA封裝,尺寸16.2×16.2毫米。

如果你擔心這種封裝下的內存性能的話,Invensas公司宣稱其可在2133MHz高頻率下運行,而且經(jīng)過了完全調試和認證。

Invensas xFD封裝技術主要面向服務器、數(shù)據(jù)中心、筆記本和其它移動設備,但何時能夠出現(xiàn)在市面上還不得而知。

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