Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器

ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。ramtron的v系列f-ram產(chǎn)品的首款器件fm25v10，是1兆位 （mb）、2.0至3.6v、具有串行外設(shè)接口 （spi） 的非易失性ram，采用8腳soic封裝，其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲（nodelay?） 寫入、1e14讀/寫次數(shù)和低功耗。fm25v10是工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1mb串行閃存和串行eeprom存儲器的理想代替產(chǎn)品。此外，ramtron已計(jì)劃在2008年陸續(xù)推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram產(chǎn)品?！　amtron市場拓展經(jīng)理duncan bennett解釋道：“我們的v系列f-ram產(chǎn)品能夠滿足客戶對低工作電壓及集成功能的需求，比如說減小板卡空間及降低裝配成本和器件成本。我們的高密度f-ram生產(chǎn)工藝已經(jīng)擴(kuò)展了產(chǎn)品的性能特性，使到v系列f-ram產(chǎn)品可在很寬泛的電壓范圍工作?！薄　￡P(guān)于fm25v10　　與串行閃存或串行eeprom不同，fm25v10以總線速度執(zhí)行寫操作，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行eeprom，fm25v10的耐用性高出8個數(shù)量級以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一。　　fm25v10具有高性能f-ram功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從需要寫入次數(shù)多的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。而在這些應(yīng)用中，串行閃存或eeprom因?yàn)闈撛诘臄?shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，而并不適用?！　m25v10具有一個只讀器件id，可以通過一個獨(dú)一無二的序列號和/或系統(tǒng)重置選項(xiàng)來命令它。器件id提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨(dú)特的序列號使主機(jī)擁有一個id，以區(qū)別于世界上任何其它主機(jī)。系統(tǒng)重置選項(xiàng)可省去對外部系統(tǒng)重置部件的需要?！　m25v10可在-40°c至+85°c的工業(yè)溫度范圍工作，以40mhz spi時鐘速率運(yùn)行時耗電僅為3ma，待機(jī)模式耗電僅為90ua，睡眠模式耗電更低至5ua。fm25v10的有功功耗為每mhz 38ua，其電流較同類串行閃存或eeprom產(chǎn)品低一個數(shù)量級?！　￡P(guān)于f-ram v系列　　ramtron的v系列f-ram產(chǎn)品采用ramtron和德州儀器共同開發(fā)的公認(rèn)的130nm cmos生產(chǎn)工藝制造，包括各種并行、串行i2c和spi存儲器。先進(jìn)的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴(kuò)展其功能集。ramtron計(jì)劃在2008年年底前推出的其它v系列產(chǎn)品將具有額外的spi產(chǎn)品密度，以及i2c和并行接口。所有串行f-ram v系列產(chǎn)品均具有可選器件的特性，包括獨(dú)特的序列號和系統(tǒng)重置選項(xiàng)。