UFS 2.1手機閃存的發(fā)布,打破三星和東芝“壟斷”格局
閃存是一種非易失性存儲器,即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。閃存卡(Flash Card)是利用閃存(Flash Memory)技術(shù)達到存儲電子信息的存儲器,一般應(yīng)用在數(shù)碼相機,掌上電腦,MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)。
2月26日,美光發(fā)布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存,容量設(shè)計為64GB、128GB和256GB。
顆粒選用TLC,3D 64層堆疊,美光強調(diào)基于人工智能技術(shù)進行了APP打開、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。
由于是第二代3D閃存,美光稱性能提升了50%。
單Die面積59.341mm2,32GB,號稱業(yè)內(nèi)最小。因此,在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠?/p>
新閃存將于今春發(fā)貨,2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機中。
由于此前,UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝,導(dǎo)致價格較高,美光的強勢加入將有助于廠商增加議價的籌碼,給消費者創(chuàng)造實惠。
閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發(fā)展。隨著制造工藝的提高、成本的降低,閃存將更多地出現(xiàn)在日常生活之中。