今年存儲器市場銷售額恐衰減三成，明年才能恢復增長

中美ó易戰(zhàn)下，存儲器市場波動情形持續(xù)受關注，研調機構集邦科技近日舉行“Compuforum 2019：資料經濟大δ來”研討會，資深協(xié)理吳雅婷預估，今年整體DRAM銷售額將年減29.3%，整體NAND Flash業(yè)績則將較去年下滑27.3%，不過，兩者均將在明年恢復正成長。

展望存儲器后市，吳雅婷表示，今年無論DRAM、NAND Flash均供過于求，導致價格持續(xù)走跌，全年業(yè)績也將負成長，預估DRAM銷售額年減29.3%、NAND Flash年減27.3%。

價格方面，受服務器與智能手機需求下滑，導致消耗量急凍與庫存攀高，今年DRAM供過于求情形較去年擴大，而NAND因競爭激烈，加上從2D NAND轉向不同程度的3D NAND，造成供給λ大幅度增長，雖目前跌幅稍微收斂，但去年累積的庫存量仍高，兩者價格仍處跌勢。全年而言，吳雅婷預估DRAM價格下滑近5成，NAND近4成。

不過，隨需求½續(xù)回溫與價格變化帶出庫存回補動能，集邦預期存儲器價格在2020年止跌反彈。

技術發(fā)展方面，吳雅婷指出，現(xiàn)有存儲器面臨制程持續(xù)微縮的物理極限，目前英特爾、三星與美光等存儲器大廠均投入開發(fā)下一代解決方案，如MRAM、PRAM和RRAM等。如英特爾的服務器產品Optane，以3DxPoint為設計基礎，并具有與市面上服務器模塊完全兼容的DIMM，對主板設計廠而言，同樣的插槽可依成本考慮，自由更換服務器存儲器模塊或Optane解決方案。

不過，下一代存儲器尚δ規(guī)模化與標準化，成本仍較高，吳雅婷認為，下一代存儲器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)缺，下一代能否放量的關鍵仍是價格。目前DRAM、NAND非常便宜，下一代較û有發(fā)展空間，預期2020年DRAM跟NAND價格恢復，次世代才有機會放量。她還強調，不認為下一代存儲器會取代現(xiàn)有解決方案，而是在部分終端產品市場與DRAM和NAND共存。