國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司將發(fā)展FD-SOI工藝

 中國(guó)的半導(dǎo)體制造工藝與海外先進(jìn)工藝尚存兩三代落差，國(guó)內(nèi)公司能量產(chǎn)的還是28nm工藝，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工藝了，不僅是制程工藝代差，這其中還存在著FinFET技術(shù)差距。目前中芯國(guó)際等公司還在追趕14nm FinFET工藝，但是國(guó)內(nèi)或許還有第二種技術(shù)路線——FD-SOI工藝。除了前不久落戶成都的GlobalFoundries晶圓廠使用22nm FD-SOI工藝之外，上海的華力微電子在攻關(guān)28nm及14nm FinFET工藝之外，二期晶圓廠也有可能采用FD-SOI工藝。

盡管FinFET與FD-SOI師出同門，因?yàn)檫@兩種技術(shù)中前TSMC CTO胡正明教授都是發(fā)明人之一，不過(guò)它們?cè)诎雽?dǎo)體廠商中的受追捧程度不同，F(xiàn)inFET鰭式晶體管技術(shù)成為TSMC臺(tái)積電、三星、Intel、UMC聯(lián)電及GlobalFoundries、中芯國(guó)際等廠商的主流選擇，F(xiàn)D-SOI在晶圓廠中的接受度并不高，AMD從28nm也放棄了SOI工藝，主推該工藝的主要是IBM、ST意法等半導(dǎo)體公司，GlobalFoundries在收購(gòu)IBM晶圓廠之后重新推FD-SOI工藝，成都工廠的22FDX工藝來(lái)源于此。

FD-SOI與FinFET工藝的孰優(yōu)孰劣很難一言而盡，盡管FinFET目前占據(jù)上風(fēng)，但FD-SOI也有可取之處，特別是在低功耗方面，GlobalFoundries的22FDX工藝可以把電壓做到0.4V，非常適合移動(dòng)、IoT物聯(lián)網(wǎng)芯片等低功耗，而且成本低廉，這也是GF沒(méi)放棄FD-SOI工藝的原因。

至于國(guó)內(nèi)公司，在突圍14nm FinFET工藝之外也沒(méi)有放棄FD-SOI工藝，GF在成都建立FD-SOI工廠開(kāi)了個(gè)好頭，其他公司也可能會(huì)跟進(jìn)FD-SOI工藝了。上海華力微電子(Shanghai Huali Microelectronics，簡(jiǎn)稱HLMC)去年底宣布投資387億元建設(shè)第二座12英寸晶圓廠，工藝路線是28nm、20nm及14nm FinFET，月產(chǎn)能4萬(wàn)片晶圓，預(yù)計(jì)2018年試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。

有消息稱，除了FinFET工藝之外，華力微電子公司也在考慮FD-SOI工藝的可能性，相對(duì)FinFET工藝它的成本更低廉，更適用于IoT物聯(lián)網(wǎng)等芯片。

華力微電子也不是國(guó)內(nèi)首個(gè)計(jì)劃采用FD-SOI工藝的半導(dǎo)體公司了，同樣是位于上海的新傲科技2015年就開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SOI工藝了，使用的 是法國(guó)Soitec的Smart Cut技術(shù)。