清華大學(xué)為二維電子器件集成提供新思路

清華大學(xué)化學(xué)系焦麗穎課題組和微電子所任天令課題組在《自然·電子學(xué)》上在線發(fā)表了題為“二維電子元件一體化制備及集成”的研究論文，首次提出了二維晶體材料合成與器件集成一體化的器件制備策略。

據(jù)悉，該研究是基于二維1T’/2H MoTe2異相結(jié)構(gòu)的圖案化合成，實(shí)現(xiàn)了通過一步化學(xué)反應(yīng)制備全二維器件。溝道與電極間以共價(jià)鍵相連，能夠降低勢(shì)壘、有效注入電子，避免后加工過程對(duì)材料的損傷及界面污染問題。并利用此策略制備了一系列高性能的原型器件，如場(chǎng)效應(yīng)晶體管、反相器、實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)制的射頻晶體管陣列、超短場(chǎng)效應(yīng)晶體管、互連的多層器件和柔性器件等，展現(xiàn)了材料合成與器件集成一體化新策略的重要應(yīng)用前景。

隨著大規(guī)模IC技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,硅器件的尺寸逐漸逼近物理極限，探索新器件技術(shù)、尋找硅材料的替代者進(jìn)而延續(xù)和拓展摩爾定律成為科學(xué)界和工業(yè)界共同關(guān)注的熱點(diǎn)問題。