AT89C52 ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓,高性能CMOS 8位單片機.片內(nèi)含8K byTES的可反復擦寫的只讀程序存儲器(PEROM)和256 byTES 。的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn),與標準MCS-51指令系統(tǒng)及8052 產(chǎn)品引腳兼容,片內(nèi)置通用8位中央處理器(CPU )和FLASH由存儲單元,功能強大AT89C52單片適用于許多較為復雜控制應用場合。
主要性能參數(shù):
與Mcs-51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。
8字節(jié)可重擦寫FLASH閃速存儲器
1000 次擦寫周期
全靜態(tài)操作:0HZ-24MHZ
三級加密程序存儲器
256X8字節(jié)內(nèi)部RAM
32個可編程I/0口線
3個16 位定時/計數(shù)器
8個中斷源
可編程串行UART通道
低功耗空閑和掉電模式
內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
AT89C52內(nèi)部框圖
功能特性:
AT89C52 提供以下標準功能:8字節(jié)FLASH閃速存儲器,256字竹內(nèi)部RAM , 32個I/O口線,3個16 位定時/計數(shù)器,一個6向量兩級中斷結(jié)構(gòu),一個全雙工串行通信口,片內(nèi)振蕩器及時鐘電路。同時,AT89c52可降至OHz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電上作模式??臻e方式停止CPU 的工作,但允許RAM,定時/計數(shù)器.串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM 中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個硬件復位.
功能引腳說明:
Vcc:電源電壓
GND:地
P0:P0口是一組8位漏極開路型雙向1/O 口,也即地址/數(shù)據(jù)總線復用口。作為輸出口用時.每位能吸收電流的方式驅(qū)動8個TTL 邏輯門電路,對端口P0 寫“1”時,可作為高阻抗輸入端用。
在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時,這組口線分時轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復用,在訪問期間激活內(nèi)部 上拉電阻。
在FLASH由編程時,P0口接收指令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字 節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。
P1口:PI 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,Pl的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流IIL
與AT89C51不同之處是,Pl.0 和P1.1還可分別作為定時/計數(shù)器2 的外部計數(shù)輸入(Pl.0/T2 )和輸入(P1.1/T2EX) ,
參見表1
FLASH編程和程序校驗期間,Pl接收低8位地址。
表1 PI.O 和PI.l 的第二功能
口:P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯電路。對端口P2寫“l",通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口,作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(llt )。
在訪問外部程序存儲器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOvx@DPTR 指令)時,P2送出高8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器、如執(zhí)行MOVX@RI指令)時,P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。
FLASH編程或校驗時,P2亦接收高位地址和一些控制信號。
·P3口:P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。P3口輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對P3口寫入“1”時,它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時,被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(IIL) .
P3口除了作為一般的I/0口線外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示:
此外,P3口還接收一些用于FLASH閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。
RST:復位輸入。當振蕩器工作時,RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復位。
·ALE/PROG:當訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時,ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié).一般情況下,ALE仍以時鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是:每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。
對Flash存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。
如有必要,可通過對特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位.可禁止ALE操作。該位置位后,只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活,此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應設(shè)置ALE禁止位無效。
·PSEN:程序儲存允許PSEN輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當AT89C52由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個脈沖。在此期間,當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,將跳過兩次PSEN信號。
·EA/VPP:外部訪問允許。欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器(地址為0000H-FFFFH ) , EA端必須保持低電平(接地).需注怠的是:如果加密位LBI被編程,復位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。
如EA端為高電平(接Vcc端), CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。
flash存儲器編程時,該引腳加上+12V的編程允許電源VPP ,當然這必須是該器件是使用12V編程電壓VPP 。
·XTAL1:振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端.
·XTAL1:振蕩器反相放大器的輸出端。
,特殊功能寄存器:
在AT89C52片內(nèi)存儲器中,80H-FFH共128個單元為特殊功能寄存器(SFE ) , SFR的地址空間映象如表2所示。并非所有的地址都被定義,從80H-FFH共128 個字節(jié)只有一部分被定義,還有相當一部分沒有定義。對沒有定義的單元讀寫將是無效的,讀出的數(shù)位將不確定,而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。
不應將數(shù)據(jù)"1"寫入未定義的單元,由于這些單元在將來的產(chǎn)品中可能賦予新的功能,在這種情況下,復位后這些單元數(shù)值總是“0”。
表2 AT89C52 SFR 映象及復位狀態(tài)[!--empirenews.page--]
AT89C52除了與AT89C51所有的定時/計數(shù)器0和定時/計數(shù)器1 外,還增加了一個定時/計數(shù)器2 .定時/計數(shù)器2的控制和狀態(tài)位位于T2CON (參見表3) T2CON(參見表4) ,寄存器對(RCA02H、RCAP2L)是定時器2在16 位捕獲方式或16位自動重裝載方式下的捕獲/自動重裝載寄存器。
表3 定時/計數(shù)器2控制寄存器T2CON
中斷寄存器:
AT89C52有6個中斷源,2個中斷優(yōu)先級,lE寄存器控制各中斷位,lP寄存器中6個中斷源的每一個可定為2個優(yōu)先級。
數(shù)據(jù)存儲器
AT89C52有256個字節(jié)的內(nèi)部RAM , 80H-FFH高128個字節(jié)與特殊功能寄存器(SFR)地址是重疊的,也就是高128字竹的RAM和殊功能寄存器的地址是相同的,但物理上它們是分開的。
當一條指令訪問7FH以上的內(nèi)部地址單元時,指令中使用的尋址方式是不同的,也即尋址方式?jīng)Q定是訪問高128字節(jié)RAM還是訪問特殊功能寄存器。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器.
例如,下面的直接尋址指令訪問特殊功能寄存器0A0H(即P2口)地址單元。
MOV 0A0H ,#data
間接尋址指令訪問高128字節(jié)RAM ,例如下面的間接子址指令中,R0的內(nèi)容為OAOH ,則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為0A0H , 而不是P2口(0A0H )。
MOV @RO ,#data
堆棧操作也是間接尋址方式,所以,高128位數(shù)據(jù)RAM亦可作為堆棧區(qū)使用。
定時器O和定時器1
AT89C52的定時器O和定時器1的工作方式與AT89C51相同。
定時2
定時器2是一個16位定時計數(shù)器。它既可當定時器使用,也可作為外部事件計數(shù)器使用,其工作方式由特殊功能寄存器T2CON(如表3 )的C/T2位選擇。定時器2有三種工作方式:捕獲方式,自動重裝載(向上或向下計數(shù))方式和波特率發(fā)生器方式,工作方式由T2CON的控制位來選擇,參見表4 。
表4 定時器2 工作方式
定時器2由兩個8位寄存器TH2和TL2組成,在定時器工作方式中,每個機器周期TL2寄存器的值加1 ,由于一個機器周期由12個振蕩時鐘構(gòu)成,因此,計數(shù)速率為振蕩頻率的1/l2 。
在計數(shù)工作方式時,當T2引腳上外部輸入信號產(chǎn)生由1至O的下降沿時,寄存器的值加1,在這種工作方式下,每個機器周期的5SP2期間,對外部輸入進行采樣。若在第一個機器周期中采到的值為1,而在下一個機器周期中采到的值為0 , 則在緊跟著的下一個周期的S3P1期間寄存器加l 。由于識別1至0的跳變需要2個機器周期(24個振蕩周期),因此,最高計數(shù)速率為振蕩頻率的1/24 .為確保采樣的正確性,要求輸入的電平在變化前至少保持一個完整周期的時間,以保證輸入信號至少被采樣一次.
捕獲方式:
在捕獲方式下,通過T2CON控制位以EXEN2來選抒兩種方式。如果ExEN2=0,定時器2是一個16位定時器或計數(shù)器,計數(shù)溢出時,對T2CON溢出標志TFZ置位,同到激活中斷。如果EXEN2=1,定時器2完成相同的操作,而當T2EX引腳外部輸入信號發(fā)生l至0負跳變時,也出現(xiàn)TH2和TL2中的值分別被捕獲到RCAP2H和RCAP2L中.另外,T2EX引腳信號的跳變使得T2CON中的EXF2置位,與TF2相仿,EXF2也會激活中斷。捕獲方式如圖4 所示。
自動重裝載(向上或向下計數(shù)器)方式:
當定時器2工作于16位自動重裝載方式時,能對其編程為向上或向下計數(shù)方式,這個功能可通過特殊功能寄存器T2CON(見表5)的DCEN位(允許向下計數(shù))來選擇的。復位時,DCEN位置“0 " ,定時器2默認設(shè)置為向上計數(shù)。當DCEN置位時,定時器2既可向上計數(shù)也可向下計數(shù),這取決于T2EX引腳的值,參見圖5 ,當DCEN=0時,定時器2自動設(shè)置為向上計數(shù),在這種方式下,T2CON中的EXEN2控制位有兩種選擇,若EXEN2,定時器2為向上計數(shù)至OFFFFH溢出,置位TF2激活中斷,同時把16位計數(shù)寄存器RCAP2H和RCAP2L重裝載,RCAP2H 和RCAP2L的值可由軟件預置。若EXEN2=1 ,定時器2的16位重裝載由溢出或外部輸入端T2EX從1至0的下降沿觸發(fā)。這個脈沖使EXF2置位,如果中斷允許,同樣產(chǎn)生中斷。
當DCEN=1時,允許定時器2向上或向下計數(shù),如圖6所示。這種方式下,T2EX引腳控制計數(shù)器方向。T2EX以引腳為邏輯“1”時.定時器向上計數(shù),當計數(shù)OFFFFH向上溢出時,置位TF2,同時把16位計數(shù)寄存器RCAP2H和RCAP2L 重裝載到TH2和TL2中。T2EX引腳為邏輯“0”時,定時器2向下計數(shù).當TH2和TL2中的數(shù)值等于RCAP2H 和RCAP2L中的值時,計數(shù)溢出,置位TF2,司時將OFFFFH數(shù)值重新裝入定時寄存器中。
當定時了計數(shù)器2向上滋出或向下溢出時,置位ExF2位.
波特率發(fā)生器:
當T2CON創(chuàng)(表3)中的TCLK以和RCLK置位時,定時/計數(shù)器2作為波特率發(fā)生器使用。如果定時/計數(shù)器2作為發(fā)送器或接收器.其發(fā)送和接收的波特率可以是不同的,定時器1用于其它功能,如圖7所示。若RCLK和TCLK置位,則定時器2工作于波特率發(fā)生器方式。
波特率發(fā)生器的方式與自動重裝載方式相仿,在此方式下,TH2翻轉(zhuǎn)使定時器2的寄存器用RCAP2H和RCAP2L中的16位數(shù)值重新裝載,該數(shù)值由軟件設(shè)置。
在方式1和方式3中,波特率由定時器2的溢出速率根據(jù)下式確定:
定時器既能工作于定時方式也能工作于計數(shù)方式,在大多數(shù)的應用中,勝作在定時方式(C/T2=0 ) .定時器2作為波特率發(fā)生器時,與作為定時器的操作是不同的,通常作為定時器時,在每個機器周期(1/12 振蕩頻率)寄存器的值加1, 而作為波特率發(fā)生器使用時,在每個狀態(tài)時間(1/2 振蕩頻率)寄存器的值加1 。波特率的計算公式如下:[!--empirenews.page--]
式中(RCAP2H , RCAP2L)是RCAP2H和RCAP2L中的16位無符號數(shù)
定時器2作為波特率發(fā)生器使用的電路如圖7所示。T2CON中的RCLK或TCLK=1時,波特率工作方式才有效。在波特率發(fā)生器工作方式中,TH2翻轉(zhuǎn)不能使TF2置位,故而不產(chǎn)生中斷:但若EXEN2 置位,且T2EX 端產(chǎn)生由l至0的負跳變,則會使ExF2置位,此時并不能將(RCAP2H, RCAP2L)的內(nèi)容重新裝入TH2和TL2中。所以當定時器2作為波特率發(fā)生器使用時,T2EX可作為附加的外部中斷源來使用。需要注意的是,當定時器2 工作于波特頻率器時,作為定時器運行(TR2=1)時,并不能訪問TH2和TL2 。因為此時每個狀態(tài)時間定時器都會加1,對其讀寫將得到一個不確定的數(shù)值。
然而,對RCAP2則可讀而不可寫,因為寫入操作將是重新裝載,寫入操作可能令寫和/或重裝載出錯.在訪問定時器2或RCAP2寄存器之前,應將定時器關(guān)閉(清除TR2)。
圖7 波特率發(fā)生器工作方式
可編程時鐘輸出:
定時器2可通過編程從P1.0 輸出一個占空比為50%的時鐘信號,如圖8 所示.P1.0引腳除了是一個標準的I/O口外,還可以通過編程使其作為定時/計數(shù)器2的外部時鐘輸入和輸出占空比50%的時鐘脈沖,當時鐘振蕩頻率為16MHz時,輸出時鐘頻率范圍為6lH-4MHz 。
當設(shè)置定時/計數(shù)器2為時鐘發(fā)生器時,C/T2(T2CON.1)=0, T2OE(T2MOD.1)=1,必須由TR2(T2CON.2)啟動或停止定時器。時鐘輸出頻率取決于振蕩頻率和定時器2捕獲寄存器(RCAP2H, RCAP2L)的重新裝載值,公式如下:
在時鐘輸出方式下,定時器2的翻轉(zhuǎn)不會產(chǎn)生中斷,這個特性與作為波特率發(fā)生器使用時相仿。定時器2作為波恃率發(fā)生器使用時,還可作為時鐘發(fā)生器使用,但需要注意的是波特率和時鐘輸出頻率不能分開確定,這是因為它們同使用RCAP2L和RCAP2L 。
圖8 定時器2時鐘輸出方式
AT89C52的UART工作方式與AT89C51工作方式相同。
中斷:
AT89C52共有6個中斷向量:兩個外中斷(INT0和INTI) , 3個定時器中斷(定時器0、l、2)和串行口中斷。所有這些中斷源如圖9所示。
這些中斷源可通過分別設(shè)置專用寄存器IE的置位或清0來控制每一個中斷的允許或禁止。IE也有一個總禁止位EA , 它能控制所有中斷的允許或禁止。
注意表5中的IE.6為保留位,在AT89C51中IE.5也是保留位,程序員不應將“l”寫入這些位,它們是將來AT89系列產(chǎn)品作為擴展用的.
定時器2的中斷是由T2CIN中的TF2和EXF2邏輯或產(chǎn)生的.當轉(zhuǎn)向中斷服務程序時,這些標志位不能被硬件清除,事實上,服務程序需確定是TF2或EXF2產(chǎn)生中斷,而由軟件清除中斷標志位.
定時器0和定時器1的標志位TF0和TFI在定時器溢出那個機器周期的S5PZ狀態(tài)置位,而會在下一個機器周期才查詢到該中斷標志。然而,定時器2的標志位TF2在定時器溢出的那個機器周期的S2P2 狀態(tài)置位,并在同一個機器周期內(nèi)查詢到該標志。
表5 中斷允許寄存器(IE)
時鐘振蕩器:
AT89C52中有一個用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器,引腳XTAL1和XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諾振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路參見圖10。
外接石英晶體(或陶瓷諾振器)及電容C1、C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對外接電容C1、C2雖然沒有十分嚴格的要求,但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器不作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,我們推薦電容使用30PF士1OPF,而如使用陶瓷諾振器建議選擇4PF士10PF 。
用戶也可以采用外部時鐘。采用外部時鐘的電路如圖10右圖所示。這種情況下,外部時鐘脈沖接到XTAL1端,即內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端,XTAL2則懸空。
空閑節(jié)電棋式:
在空閑工作模式狀態(tài),CPU自身處于睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài),這種方式由軟件產(chǎn)生。此時,同時將片內(nèi)RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié).空閑模式可由任何允許的中斷請求或硬件復位終止。
由硬件復位終止空閑狀態(tài)只需兩個機器周期有效復位信號,在此狀態(tài)下,片內(nèi)硬件禁止訪問內(nèi)部RAM,但可以訪問端口引腳,當用復位終止空閑方式時,為避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入,激活空閑模式的那條指令后一條指令不應是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。
掉電棋式:
在掉電模式下,振蕩器停止工作,進入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令,片內(nèi)RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復位,復位后將重新定義全部特殊功能寄存器,但不改變RAM 中的內(nèi)容,在Vcc恢復到正常工作電平前,復位應無效,且必須保持一定時間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作??臻e和掉電模式下,各端口引腳狀態(tài)如表6所示.
表6 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài)
程序存儲器的加密:
AT89C52有3個程序加密位,可對芯片上的3個加密位LBI 、LBZ 、LB3 進行編程(P)或不編程(U)來得到如表7 所示的功能:
表7 加密位保護功能表
[!--empirenews.page--]
U:表示未編程 P:表示編程
當加密位LB1被編程時,在復位期間,以端的邏輯電平被采樣并鎖存.如果單片機卜電后一直沒有復位,則鎖存起的初始值是一個隨機數(shù),且這個隨機數(shù)會一直保存到真正復位為止。為使單片機能正常工作,被鎖存的EA電平值必須與該引腳當前的邏輯電平一致。此外,加密位只有翻由過整片擦除的方法清除。
FLASH存儲器的編程:
AT89C52單片機內(nèi)部有8k字節(jié)的FlASH PEROM,這個FLASH存儲陣列出廠時己處于擦除狀態(tài)(即所有存儲單元的內(nèi)容均為FFH) ,用戶隨時可對其進行編程.編程接口可接收高電壓(+12V)或低電壓(VCC)的允許編程信號。低電帳編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng),而高電汗編程模式可與通用EPROM編程器兼容。
AT89C52單片機中,有些屬于低電帳編程方式,而有些則是高電片編程方式,用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息,見表8 。
表8 頂面標記及簽名字節(jié)
|
VPP=12V
|
VPP=5V
|
頂面標記
|
AT89C52
XXXX YYWW |
AT89CS2
XXXX-5 YYWW |
簽名字節(jié)
|
(O30H)=1EH
(031H) =52H (O32H)=FFH |
(O30H)=1EH
(O31H)=52H (O32H)=O5H |
AT89C52的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的,每次寫入一個字節(jié),要對整個芯片內(nèi)的PEROM程序存儲器寫入一個非空字節(jié),必須使用片擦除的方式將整個存儲器的內(nèi)容清除.
編程方法:
編程前,須按表9和圖11所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號,AT89C52編程方法如下:
1 .在地址線上加上要編程單元的地址信號。
2 .在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。
3 .激活相應的控制信號。
4 .在高電什編程方式時,將EA/Vpp 端加上十12V 編程電壓。
5 .每對FLASH存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位,加上一個ALE/PROG編程脈沖。每個字竹寫入周期是自身定時的,通常約為1.5ms.重復1-5步驟.改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù),直到全部文件編程結(jié)束.
(030H)= 1EH 聲明產(chǎn)品由ATMEL公司出品.
(031H)= 52H 聲明為AT89C52單片機。
(032H)= FFH 聲明為12V編程電樂。
(032H)= 05H 聲明為5V 編程電壓。
數(shù)據(jù)查詢:
AT89C52單片機用Dato Palling 表示一個寫周期結(jié)束為特征,在一個寫周期中,如需讀取最后寫入的一個字節(jié),則讀出的數(shù)據(jù)的最高位(P0. 7)是原來寫入字書最高位的反碼。寫周期完成后,所輸出的數(shù)據(jù)是有效的數(shù)據(jù),即可進入下一個字節(jié)的寫周期.寫周期開始后,Data Pallmg 可能隨時有效。
Ready/Busy:字節(jié)編程的進度可通過“RDY/BsY輸出信號監(jiān)測,編程期間,ALE變?yōu)楦唠娖?ldquo;H”后,P3.4 (RDY/BSY) 端電平被拉低.表示正在編程狀態(tài)吸忙狀態(tài))。編程完成后,P3.4 變?yōu)楦唠娖奖硎緶蕚渚途w狀態(tài)。
程序校臉:如果加密位LB1 、LB2 沒有進行編程,則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù),采用如圖12的電路。加密位不可直接校驗,加密位的校驗可通過對存儲器的校驗和寫入狀態(tài)來驗證。
芯片擦除:利用控制信號的正確組合(表6)并保持ALE/PROG引腳10ms的低電平脈沖寬度即可將PEROM 陣列(4k字節(jié))和三個加密位整片擦除,代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫入“1",這步驟需再編程之前進行。
讀片內(nèi)簽名字節(jié):AT89C52單片機內(nèi)有3個簽名字節(jié),地址為030H 、03lH 和032H 。用于聲明該器件的廠商、型號和編程電帳。讀AT89C52簽名字節(jié)需將P3.6 和P3.7置邏輯低電平,讀簽名字竹的過程和單元030H、031H及032H 的正常校驗相仿,只返回值意義如下:
編程和效驗特性:
TA =0℃-70℃,Vcc=5.0±10%
僅用與12V編程模式