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[導讀]InnoSwitch-CE IC集成了一個具有精確輸入過壓/欠壓監(jiān)測功能的650 V MOSFET,可提供出色的輸入浪涌和電壓驟升保護。新器件支持多路輸出的應用,同時具有精確的外部電流檢測功能。

Integrations公司發(fā)布InnoSwitch™-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費電子應用(TEC法規(guī)是由政府認定的重要總能耗法規(guī))。

InnoSwitch IC采用了名為FluxLink™的磁感耦合技術(shù),該技術(shù)由Power Integrations發(fā)明,可在省去不可靠的光耦器的前提下同時對初級和次級MOSFET進行精確開關(guān)控制。這種拓撲結(jié)構(gòu)提供了高效的同步整流,同時不會在動態(tài)負載或輸入浪涌期間造成初次級開關(guān)管同時導通,發(fā)生擊穿的風險,從而提高產(chǎn)品可靠性。該技術(shù)還具有出色的交叉調(diào)整率,通常可省去多路輸出設(shè)計中的DC-DC轉(zhuǎn)換器電路,進一步提高電源子系統(tǒng)的效率并降低系統(tǒng)成本。

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InnoSwitch-CE IC可應用于智能移動產(chǎn)品的適配器和充電器以及機頂盒、計算機顯示器和其他消費類音視頻產(chǎn)品和娛樂產(chǎn)品的敞開式電源應用。InnoSwitch-CE IC的空載功耗不足10 mW,并且在整個功率范圍內(nèi)還具有極高的效率,可降低低待機功耗或睡眠模式的能耗,這對于滿足具有挑戰(zhàn)性的TEC規(guī)定通常至關(guān)重要。

InnoSwitch-CE IC集成了一個具有精確輸入過壓/欠壓監(jiān)測功能的650 V MOSFET,可提供出色的輸入浪涌和電壓驟升保護。新器件支持多路輸出的應用,同時具有精確的外部電流檢測功能。

Power Integrations產(chǎn)品營銷總監(jiān)Shyam Dujari表示:“消費電子產(chǎn)品需要尺寸小巧并且功耗極低。非常重要的是,大部分此類產(chǎn)品,比如機頂盒和顯示器,在不使用時一直都插在電源插座上。由于InnoSwitch-CE IC集成了同步整流驅(qū)動電路,并且在整個負載范圍內(nèi)(包括待機和閑置模式)都具有高效率,因此對于面臨TEC要求挑戰(zhàn)的設(shè)計師而言,是一個重要的新選擇。”

采用InnoSwitch-CE的電源設(shè)計可超越所有國際能效標準對于能效的要求,如ENERGY STAR®、加州能源委員會標準、歐盟行為準則(CoC)第5版Tier 2標準以及美國能源部標準(DoE 6)。它們已通過UL1577和TUV (EN60950)安全認證,符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)標準。

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