[導讀]System in Package (系統(tǒng)級封裝、系統(tǒng)構裝、SiP) 是基于SoC所發(fā)展出來的種封裝技術,根據(jù)Amkor對SiP定義為「在一IC包裝體中,包含多個芯片或一芯片,加上被動組件、電容、電阻、連接器、天線…等任一組件以上之封裝,
System in Package (系統(tǒng)級封裝、系統(tǒng)構裝、SiP) 是基于SoC所發(fā)展出來的種封裝技術,根據(jù)Amkor對SiP定義為「在一IC包裝體中,包含多個芯片或一芯片,加上被動組件、電容、電阻、連接器、天線…等任一組件以上之封裝,即視為SiP」,也就是說在一個封裝內不僅可以組裝多個芯片,還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片迭在一起,構建成更為復雜的、完整的系統(tǒng)。
SiP包括了多芯片模塊(Multi-chip Module;MCM)技術、多芯片封裝(Multi-chip Package;MCP)技術、芯片堆棧(Stack Die)、PoP (Package on Package)、PiP (Package in Package),以及將主/被動組件內埋于基板(Embedded Substrate)等技術。以結構外觀來說,MCM屬于二維的2D構裝,而MCP、Stack Die、PoP、PiP等則屬于立體的3D構裝;由于3D更能符合小型化、高效能等需求,因而在近年來備受業(yè)界青睞。
SiP封裝中互連技術 (Interconnection) 多以打線接合 (Wire Bonding) 為主,少部分還采用覆晶技術 (Flip Chip),或是 Flip Chip 搭配 Wire Bonding 作為與 Substrate (IC載板) 間的互連。但以Stack Die (堆棧芯片) 為例,上層的芯片仍需藉由Wire Bonding來連接,當堆棧的芯片數(shù)增加,越上層的芯片所需的Wire Bonding長度則將越長,也因此影響了整個系統(tǒng)的效能;而為了保留打線空間的考慮,芯片與芯片間則需適度的插入Interposer,造成封裝厚度的增加。
一般而言SiP的優(yōu)點有:
(1)封裝效率大大提高,SiP技術在同一封裝體內加多個芯片,大大減少了封裝體積。兩芯片加使面積比增加到170%,三芯片裝可使面積比增至250%。
(2)由于SiP不同于SOC無需版圖級布局布線,從而減少了設計、驗證和調試的復雜性和縮短了系統(tǒng)實現(xiàn)的時間。即使需要局部改動設計,也比SOC要簡單容易得多。大幅度的縮短產(chǎn)品上市場的時間。
(3)SiP實現(xiàn)了以不同的工藝、材料制作的芯片封裝可形成一個系統(tǒng),實現(xiàn)嵌入集成無源組件的夢幻組合。
(4)降低系統(tǒng)成本。比如一個專用的集成電路系統(tǒng),采用SiP技術可比SOC節(jié)省更多的系統(tǒng)設計和生產(chǎn)費用。
(5)SiP技術可以使多個封裝合二為一,可使總的焊點大為減少,也可以顯著減小封裝體積、重量,縮短組件的連接路線,從而使電性能得以提高。
(6)SiP采用一個封裝體實現(xiàn)了一個系統(tǒng)目標產(chǎn)品的全部互連以及功能和性能參數(shù),可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連以及其他IC芯片直接內連技術。
(7)SiP可提供低功耗和低噪音的系統(tǒng)級連接,在較高的頻率下工作可獲得幾乎與SOC相等的總線寬度。
(8)SiP具有良好的抗機械和化學腐蝕的能力以及高的可靠性。
(9)與傳統(tǒng)的芯片封裝不同,SiP不僅可以處理數(shù)字系統(tǒng),還可以應用于光通信、傳感器以及微機電MEMS等領域。
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