2013年半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局
[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局在28nm階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對(duì)于省電、高效能的要求，使得28nm需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能，但仍無(wú)法滿足大客戶需求，到2013年初，臺(tái)積電28nm制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù)，目前單月產(chǎn)能約
半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局在28nm階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對(duì)于省電、高效能的要求，使得28nm需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能，但仍無(wú)法滿足大客戶需求，到2013年初，臺(tái)積電28nm制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù)，目前單月產(chǎn)能約7萬(wàn)片12寸晶圓。
臺(tái)積電28nm產(chǎn)能開(kāi)出之際，同業(yè)也積極拉升28nm良率，以卡位第二供應(yīng)商策略進(jìn)入戰(zhàn)場(chǎng)，日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已搶下高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等訂單。
在28nm制程以下是20nm制程，但部分客戶轉(zhuǎn)進(jìn)意愿不高，因?yàn)?0nm制程技術(shù)仍是停留在平面式電晶體的設(shè)計(jì)，成本下降速度不及增加的投資金額，因此寧愿暫時(shí)以28nm為主，之后在轉(zhuǎn)進(jìn)3D架構(gòu)電晶體FinFET技術(shù)。
FinFET技術(shù)最早是英特爾(Intel)在22nm制程導(dǎo)入，未來(lái)14nm也會(huì)延續(xù)，臺(tái)積電計(jì)劃在16nm制程導(dǎo)入FinFET技術(shù)、GlobalFoundries在14nm制程導(dǎo)入、三星電子則預(yù)計(jì)從14nm導(dǎo)入FinFET技術(shù)，聯(lián)電的FinFET技術(shù)從計(jì)劃從20nm切入，會(huì)與IBM合作加速其進(jìn)度。
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