臺(tái)積電16納米猛催油三星14納米緊跟添柴火

臺(tái)積電為讓16納米FinFET制程能成功出擊，推出升級(jí)版的16納米FinFET Plus版本，目前多數(shù)客戶都以此版本為主，近期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)亦跟進(jìn)效法，同樣推出14納米升級(jí)版本LPP(Low Power Plus)，目前臺(tái)積電、三星內(nèi)部都計(jì)劃提前量產(chǎn)14/16納米制程，希望在市場(chǎng)搶得先機(jī)，使得半導(dǎo)體先進(jìn)制程競(jìng)局急速增溫。不過，相關(guān)制程進(jìn)度仍待業(yè)者對(duì)外正式公布。

臺(tái)積電及三星紛將在2014年底、2015年初量產(chǎn)14/16納米制程，近期業(yè)界傳出兩大半導(dǎo)體廠都力拼將14/16納米制程量產(chǎn)進(jìn)度提前，借此卡位市場(chǎng)商機(jī)，同時(shí)達(dá)到技術(shù)宣示效果。

不過，目前14/16納米制程還未正式量產(chǎn)之前，臺(tái)積電及三星便開始暗自較勁，分別推出升級(jí)版本制程，并強(qiáng)力鼓勵(lì)客戶導(dǎo)入新版制程，雙方火藥味十足。

臺(tái)積電16納米FinFET制程已推出升級(jí)版本(16納米FinFET Plus)，且立刻以升級(jí)版本取代既有16納米FinFET制程，半導(dǎo)體業(yè)者透露，原本臺(tái)積電要全面以新版本取代舊版制程，然因有極少數(shù)客戶已經(jīng)采??用舊版本作為設(shè)計(jì)參考，預(yù)計(jì)舊版本16納米FinFET制程仍會(huì)進(jìn)行量產(chǎn)，但未來該世代仍會(huì)以16納米FinFET Plus版本為主。

半導(dǎo)體業(yè)者指出，臺(tái)積電16納米FinFET制程相較于三星、英特爾(Intel)與GlobalFoundries的14納米制程，盡管效能恐略微不及，但優(yōu)勢(shì)是成本較低，且為更具競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)入量產(chǎn)后能夠一鳴驚人，臺(tái)積電內(nèi)部決定快速推出改良升級(jí)版的16納米FinFET Plus版本，讓客戶更放心下單投產(chǎn)。

值得注意的是，三星亦仿效臺(tái)積電，在14納米制程還未量產(chǎn)之前，搶先宣示將推出升級(jí)版14納米LPP，且相較于舊版本14納米LPE(Low Power Early)，新版本制程耗電量更低，同時(shí)效能亦進(jìn)一步提升，三星新版本14納米LPE已開始準(zhǔn)備量產(chǎn)，使得半導(dǎo)體先進(jìn)制程戰(zhàn)局彌漫濃烈的火藥味。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，三星14納米FinFET制程LPE版本相較于既有20納米制程，晶片速度提升20%，耗電量降低約35%，且LPP版本整體性能和耗電量表現(xiàn)，更明顯優(yōu)于舊版LPE。三星提出改良版的14納米LPP制程，應(yīng)是為與臺(tái)積電正面抗衡，宣示意味濃厚，屆時(shí)臺(tái)積電與三星誰(shuí)能在14/16納米制程提前上陣，就能獲得較高勝算。

另外，臺(tái)積電與三星不僅在14/16納米制程展開火拼，近期業(yè)界亦傳出三星在20納米制程積極挖臺(tái)積電大客戶墻角，像是高通(Qualcomm)便是三星鎖定的頭號(hào)目標(biāo)，借此對(duì)于臺(tái)積電成功搶下蘋果(Apple)處理器晶片訂單予以反擊。

隨著臺(tái)積電首次為蘋果代工的A8處理器晶片正式量產(chǎn)，2014年對(duì)于臺(tái)積電營(yíng)收貢獻(xiàn)度將逐季提升，20納米制程成為挹注臺(tái)積電2014及2015年?duì)I運(yùn)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋?/p>

360°：14/16納米升級(jí)版制程

臺(tái)積電和三星電子(Samsung Electronics)都針對(duì)旗下16納米和14納米FinFET制程推出升級(jí)改良版，臺(tái)積電發(fā)表第一個(gè)16納米FinFET制程后，接連推出16納米FinFET Plus版本，訴求速度更快、效能更高且更為低耗電，目前多數(shù)客戶都以16納米FinFET Plus版本為主。

三星也在14納米FinFET制程上極力宣傳新版本，在既有的14納米制程還未量產(chǎn)前，推出名為14納米LPP(Low Power Plus)的升級(jí)版，相較于舊版的14納米LPE(Low Power Early)版本，新版本制程的耗電量更低、效能更提升。 14納米LPP預(yù)計(jì)將于2015年進(jìn)入量產(chǎn)。

半導(dǎo)體廠都將14/16納米制程視為重要突破，因?yàn)榇蠖鄶?shù)半導(dǎo)體廠都是在14/16納米首度導(dǎo)入FinFET技術(shù)。