布局3D量測，愛德萬推出晶圓級測試系統(tǒng)

時(shí)間：2012-11-22 06:38:00

關(guān)鍵字：晶圓測試系統(tǒng) FINFET IC

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[導(dǎo)讀]測試設(shè)備大廠愛德萬測試(Advantest, NYSE: ATE)看準(zhǔn)3D IC技術(shù)發(fā)展的趨勢，持續(xù)布局高階測試方案，今宣布推出專為晶圓級測試所開發(fā)的多視角量測掃描式電子顯微鏡 (MVM-SEM)系統(tǒng)E3310。愛德萬指出，該系統(tǒng)可提供高穩(wěn)定

測試設(shè)備大廠愛德萬測試(Advantest, NYSE: ATE)看準(zhǔn)3D IC技術(shù)發(fā)展的趨勢，持續(xù)布局高階測試方案，今宣布推出專為晶圓級測試所開發(fā)的多視角量測掃描式電子顯微鏡 (MVM-SEM)系統(tǒng)E3310。愛德萬指出，該系統(tǒng)可提供高穩(wěn)定性、高精確性的3D量測功能，可滿足發(fā)展下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)所需。
愛德萬測試表示，過去半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展，始終遵循著摩爾定律(Moore`s Law)，但在今日邁向更小制程發(fā)展時(shí)仍不免遇上技術(shù)瓶頸。愛德萬并舉例說明，F(xiàn)inFET (鰭狀場效電晶體) 等3D電晶體技術(shù)的發(fā)展，可望銜接22奈米節(jié)點(diǎn)與后續(xù)1X奈米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)之間的鴻溝，不過當(dāng)制程持續(xù)縮微，也隨之衍生出更高階的量測需求。
愛德萬表示，最新推出的E3310量測系統(tǒng)采用電子束(E-beam)掃描技術(shù)，足以支應(yīng)22奈米級以下的制程測試需求，其穩(wěn)定性與精確性，亦可協(xié)助客戶在開發(fā)1X奈米等級制程時(shí)，縮短制程周期、提高產(chǎn)品良率。

愛德萬指出，E3310提供專利偵測演算法，可對目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面采行的3D FinFET架構(gòu)進(jìn)行量測；同時(shí)其支援材料除了矽晶圓之外，還可應(yīng)用于包括石英、碳化矽等材料所制程的晶圓。
愛德萬將在今年12月5-7日舉行的SEMICON Japan期間，展出E3310在內(nèi)的多款最新量測解決方案。