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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電16奈米及InFO WLP先進(jìn)制程布局 晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)16奈米鰭式場效電晶體升級(jí)版(FinFET Plus)將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn),搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),在x86及AR


臺(tái)積電16奈米及InFO WLP先進(jìn)制程布局
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)16奈米鰭式場效電晶體升級(jí)版(FinFET Plus)將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn),搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),在x86及ARM架構(gòu)64位元應(yīng)用處理器代工市場已是毫無敵手,可望直取英特爾SoFIA、蘋果A9大單。

臺(tái)積電今年全力沖刺20奈米系統(tǒng)單晶片制程(20SoC)產(chǎn)能,由于已搶下蘋果A8處理器及高通、英特爾、輝達(dá)(NVIDIA)等大單,不僅第1座支援20奈米12寸廠南科Fab14第5期已全產(chǎn)能投片,第2座12寸廠Fab14第6期將在7月正式進(jìn)入量產(chǎn),將成為臺(tái)積電第3季營收挑戰(zhàn)2,000億元新高的重要?jiǎng)幽堋?br>
臺(tái)積電原本計(jì)劃在今年底轉(zhuǎn)進(jìn)16奈米FinFET制程,但因許多客戶認(rèn)為16奈米FinFET與目前量產(chǎn)中的20奈米SoC制程相較,效能及功耗上并無太明顯的差距,也因此,臺(tái)積電加快腳步開發(fā)出16奈米FinFET Plus制程,除了可較16奈米FinFET技術(shù)提高15%效能,在同一速度下還可降低30%的功耗。

采用16奈米FinFET Plus技術(shù)的首顆晶片將在本月完成設(shè)計(jì)定案(tape-out),今年內(nèi)完成設(shè)計(jì)定案的晶片數(shù)量可達(dá)16顆,明年將放大到45顆。由于上游客戶對(duì)于16奈米FInFET Plus需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于原先規(guī)畫,所以臺(tái)積電明年資本支出將維持在100億美元高水準(zhǔn),全力擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)強(qiáng)勁需求。

除了在晶圓制程上的推陳出新,臺(tái)積電也決定提高在SiP制程上的研發(fā)力道,除了目前已開始小量生產(chǎn)的CoWoS技術(shù)之外,針對(duì)中低階處理器市場量身打造的InFO WLP封裝技術(shù)也可望在今年底開始生產(chǎn),同時(shí)可支援Wide IO介面DRAM晶片的封裝內(nèi)建封裝(PoP)技術(shù)。

臺(tái)積電明年靠著16奈米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器,不僅可以有效對(duì)抗三星及格羅方德(GlobalFoundries)的14奈米FinFET制程聯(lián)軍,還可回防全球最大半導(dǎo)體廠英特爾的步步進(jìn)逼。

業(yè)界人士指出,臺(tái)積電整合16奈米FinFET Plus及InFO WLP所推出的一元化(turnkey)服務(wù),可將64位元應(yīng)用處理器的運(yùn)算效能及低功耗特色發(fā)揮到極致,對(duì)手因技術(shù)及產(chǎn)能無法追趕上,臺(tái)積電等同于將通吃x86或ARM架構(gòu)的64位元處理器代工市場訂單,英特爾SoFIA及蘋果A9兩大訂單等于手到擒來。



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