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[導(dǎo)讀]Intel如何在移動(dòng)處理器市場(chǎng)立足?他們最大的籌碼還是自己的半導(dǎo)體工藝技術(shù),更先進(jìn)的工藝可以帶來(lái)更強(qiáng)的性能、更低的功耗。Intel此前表示,他們的制程工藝領(lǐng)先對(duì)手三年半,雖然沒(méi)有指名道姓,但是誰(shuí)都知道說(shuō)的就是臺(tái)

Intel如何在移動(dòng)處理器市場(chǎng)立足?他們最大的籌碼還是自己的半導(dǎo)體工藝技術(shù),更先進(jìn)的工藝可以帶來(lái)更強(qiáng)的性能、更低的功耗。Intel此前表示,他們的制程工藝領(lǐng)先對(duì)手三年半,雖然沒(méi)有指名道姓,但是誰(shuí)都知道說(shuō)的就是臺(tái)積電。如今臺(tái)積電也要反擊了,指責(zé)Intel之前所用的臺(tái)積電工藝數(shù)據(jù)圖是過(guò)時(shí)的數(shù)據(jù),臺(tái)積電的工藝并不比Intel差多少。

在日前的一次會(huì)議上,臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)張忠謀表示,通常他們不會(huì)評(píng)論其他公司的技術(shù),但是Intel之前的宣傳有誤,因此他不得不讓臺(tái)積電副總MarkLiu作出解釋。







如圖所示,橫坐標(biāo)是工藝節(jié)點(diǎn),靠前的數(shù)字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工藝,而28、20、16FF是臺(tái)積電的制程工藝??v坐標(biāo)是邏輯電路的核心面積,其中藍(lán)色曲線是Intel制程工藝與面積的走勢(shì)圖,灰色的是Intel之前PPT上的臺(tái)積電的走勢(shì),但是臺(tái)積電指出,Intel引用的資料是錯(cuò)誤的,已經(jīng)過(guò)時(shí)了,紅色曲線才是臺(tái)積電真正的走勢(shì)圖,Intel的資料夸大了二者之間的差距。

按照規(guī)劃,臺(tái)積電今年會(huì)量產(chǎn)20nm工藝,但是20nm不會(huì)持續(xù)很久,一年后的2015年臺(tái)積電就會(huì)上馬16nmFinFET工藝,因?yàn)?6nm與20nm工藝是后端兼容的,而FinFET鰭式晶體管(Intel的說(shuō)法是3D晶體管)可以大幅改善電路性能,核心面積也能縮小15%。MarkLiu表示他們的16nm工藝是晶體管密度最大的制程工藝。

臺(tái)積電也不得不承認(rèn)的是在16nmFF工藝之前,Intel確實(shí)有工藝優(yōu)勢(shì),不過(guò)差距在縮小,16nmFF工藝只落后Intel一點(diǎn),而到了10nm節(jié)點(diǎn)臺(tái)積電會(huì)啟用第三代FinFET工藝,該技術(shù)能帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的性能與晶體管密度。


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