臺(tái)積電法說(shuō)照妖鏡 外資口是心非
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀釋出營(yíng)運(yùn)和制程技術(shù)利多消息。各外資券商的亞太區(qū)半導(dǎo)體分析師于會(huì)后,急忙奔回辦公室,調(diào)整多項(xiàng)關(guān)于臺(tái)積電的財(cái)測(cè)數(shù)據(jù),并審慎研究,撰寫評(píng)析報(bào)告。
而凌晨,正逢美國(guó)股市交易熱絡(luò)的時(shí)刻,為了服務(wù)在美國(guó)交易的外資法人,眾家外資分析師幾乎徹夜未眠。一位不愿具名,眼袋深沉,掛著凹陷黑眼圈的美系分析師說(shuō):「法說(shuō)會(huì)前兩天開始,電話就接個(gè)不停。一直到法說(shuō)會(huì)結(jié)束,凌晨都還忙著聯(lián)系。這三、四天沒(méi)什么睡,眼睛很腫、很干?!?br>
張忠謀(左2)暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音(左)、魏哲家(右2)帶領(lǐng)臺(tái)積電,以高階制程獲法人青睞。右1為財(cái)務(wù)長(zhǎng)曾麗梅。
高階制程贏面大 外資不眠相挺
臺(tái)積電召開法說(shuō)會(huì)的效應(yīng),隨即反映在十六日臺(tái)積電美國(guó)存托憑證(ADR)的價(jià)格走勢(shì)上。當(dāng)天收盤時(shí),臺(tái)積電ADR漲幅達(dá)3.36%。
事實(shí)上,外資相當(dāng)看好臺(tái)積電今年的表現(xiàn),不僅維持買進(jìn)評(píng)等,還有五家券商,分別是瑞銀、花旗環(huán)球、美商高盛、港商里昂、港商聯(lián)昌等,紛紛調(diào)升臺(tái)積電的目標(biāo)價(jià)。雖然調(diào)升幅度不大,但外資圈普遍看好,目標(biāo)價(jià)甚至上看一三九元以上。
堪稱華爾街金童的外資分析師,甘愿如此奔走,原因正在于臺(tái)積電獨(dú)占鰲頭,擁有領(lǐng)先全球半導(dǎo)體業(yè)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
看好現(xiàn)有制程 外資愛(ài)「蘋果光環(huán)」
從制程技術(shù)來(lái)看,法人透露,美林證券壓寶臺(tái)積電二十八納米制程邁入第三年,市占將超過(guò)90%。目前臺(tái)積電更是二十納米的唯一供應(yīng)商,外資預(yù)估今、明年將額外增加營(yíng)收10%和20%。至于3D架構(gòu)FinFET制程規(guī)模部分,某些客戶可能直接轉(zhuǎn)進(jìn)十六納米FinFET制程。
此外,熟悉外資圈的法人也認(rèn)為,美林相當(dāng)看好「蘋果光環(huán)」效應(yīng)。今年蘋果(Apple)的A8處理器訂單,可能挹注臺(tái)積電營(yíng)收約三~五%,同時(shí)貢獻(xiàn)行動(dòng)裝置相關(guān)芯片五~八%的業(yè)績(jī)。該位法人胸有成竹地說(shuō):「如果英特爾(Intel)還是沒(méi)有技術(shù)優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電市占率仍然很可觀?!?br>
美林之外,瑞信也看上「蘋果光環(huán)」加持的優(yōu)勢(shì)。法人表示,瑞信內(nèi)部透露,蘋果訂單挹注臺(tái)積電二十納米成長(zhǎng)動(dòng)能居多,預(yù)計(jì)將推升全年二十納米營(yíng)收達(dá)10%,第四季上沖20%。而受到行動(dòng)裝置大尺寸化的趨勢(shì)影響,臺(tái)灣和美國(guó)的行動(dòng)裝置品牌廠將加速轉(zhuǎn)換為二十納米制程,是臺(tái)積電一大利多。
而目前維持最高目標(biāo)價(jià)一三九元的巴克萊證券,法人從其內(nèi)部得知表示,主要看好臺(tái)積電今、明兩年表現(xiàn)將優(yōu)于英特爾和三星(Samsung),重要客戶轉(zhuǎn)進(jìn)高單價(jià)二十納米HKMG和十六納米FinFET,未來(lái)兩年貢獻(xiàn)營(yíng)收超過(guò)20%,單價(jià)可望增加5~10%。
外資樂(lè)觀 十納米制程超越英特爾
而智能型手機(jī)和平板芯片的業(yè)務(wù),也將分別在今、明年年增三八%、二五%,明年貢獻(xiàn)營(yíng)收超過(guò)五五%。再加上考量資本支出、投入密集度,皆有助于現(xiàn)金流。
另一個(gè)會(huì)場(chǎng)注目的焦點(diǎn),則是臺(tái)積電罕見地炮火猛烈澄清,競(jìng)爭(zhēng)者英特爾在去年底法說(shuō)會(huì)釋出的消息。臺(tái)積電直指,英特爾聲稱兩者在十六/十四納米制程有相當(dāng)差距,這個(gè)訊息并不正確。臺(tái)積電更駁斥道,其十六納米制程晶體管密度,如果不是「非常接近」英特爾,就是只落后友商一點(diǎn)點(diǎn)而已。
臺(tái)積電仍具產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)性
對(duì)此,法人表示,從花旗環(huán)球得知,花旗仍然看好臺(tái)積電在先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)力。根據(jù)臺(tái)積電的回應(yīng)推估,下一世代的十納米制程,臺(tái)積電保有技術(shù)優(yōu)勢(shì)。在芯片閘密度(Gate Density)上,可能超越英特爾。
而十六納米FinFET制程,臺(tái)積電除了具備強(qiáng)大效能和更佳功耗之外,也已經(jīng)通過(guò)一千小時(shí)的可靠度測(cè)試,其SRAM良率更是接近二十納米SoC的水平。
而臺(tái)積電今年仍將面臨訂價(jià)策略的挑戰(zhàn),但法人從港商里昂證券獲知,臺(tái)積電二十八納米在HKMG執(zhí)行率和良率優(yōu)勢(shì),將帶動(dòng)全年二十八納米制程營(yíng)收年增20%。
并預(yù)估二十納米在今年第四季將增加晶圓營(yíng)收超過(guò)20%,整體營(yíng)收比重達(dá)10%。尤其在降低資本支出密度和現(xiàn)金流挹注下,預(yù)估今、明年現(xiàn)金殖利率將達(dá)3.5元。
美國(guó)股市的費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)表現(xiàn)仍舊亮眼,反應(yīng)在臺(tái)積電召開的法說(shuō)會(huì)中,除了公布對(duì)于今年第一季營(yíng)收會(huì)受到傳統(tǒng)淡季以及供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫(kù)存的影響之外,預(yù)估合并營(yíng)收將會(huì)落在新臺(tái)幣1360億元到1380億元,季減將會(huì)落在五%至七%,也對(duì)于未來(lái)的營(yíng)運(yùn)展望發(fā)表看法。
過(guò)去二年臺(tái)積電的資本支出金額約在八十五億到一百億美元(約當(dāng)新臺(tái)幣2550到3000億元),在如此龐大資本支出的金額之下,折舊率勢(shì)必上升,尤其是今年的折舊年增上看三五%以上,這絕非是個(gè)小數(shù)目。