愛美科與新思攜手將TCAD應用于10奈米FinFET

比利時奈米電子研發(fā)機構(gòu)愛美科 ( Imec )與全球晶片設計、驗證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應商新思科技( Synopsys )宣布，雙方將擴大合作范圍并將電腦輔助設計技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應用于10奈米鰭式電晶體 (FinFET)制程。
此合作案是以14奈米等制程為基礎，而透過這項合作案，新思科技的Sentaurus TCAD 模型將可有效支援新世代FinFET 裝置。雙方的合作將包含新裝置架構(gòu)的3D建模(3-D modeling)，可協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)高效能、低功耗的產(chǎn)品。
愛美科邏輯程式部(logic program)總監(jiān)Aaron Thean表示，該機構(gòu)當前的研發(fā)重點在于解決10奈米制程所面臨的半導體裝置及材料上的挑戰(zhàn)，而新思科技是TCAD技術(shù)的領導廠商，與新思科技合作將可強化其在先進研究領域的影響力。
愛美科與一流IC廠商合作研發(fā)先進CMOS微縮(scaling)技術(shù)。這項技術(shù)涉及的不只是如何縮小晶片尺寸，裝置微縮(device scaling)還需要新材料(materials)、裝置架構(gòu)(device architectures)、3D整合及光學(photonics)等各式新技術(shù)的支援。愛美科與新思科技的合作特別強調(diào)FinFET與tunnel FET (TFET)在新裝置架構(gòu)的開發(fā)及最佳化(optimization)。
于12月8日至10日在舊金山所舉辦的2012年國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM)上，愛美科發(fā)表了利用應力源(stressor)提升載子遷移率(carrier mobility)的研究論文，這對10奈米FinFET裝置的微縮相當重要。而使用新思科技的TCAD工具將有助于愛美科加??速此項研究的發(fā)展。
新思科技矽晶工程事業(yè)群資深副總裁暨總經(jīng)理柯復華表示：「與愛美科擴大合作有助于提升新思科技對于新世代FinFET裝置建模的TCAD模擬工具。愛美科為一以先進研發(fā)著稱的知名專業(yè)廠商，而雙方的合作將有助于強化新思的TCAD解決方案。」