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三星14nm工藝移動(dòng)芯片測(cè)試成功

時(shí)間：2012-12-22 07:37:00
關(guān)鍵字： 三星    移動(dòng)芯片    芯片測(cè)試    FINFET   
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[導(dǎo)讀]據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星宣布與 ARM 簽署了一項(xiàng)與 14nm FinFET 工藝技術(shù)和 IP 庫(kù)相關(guān)的合作協(xié)議，并且還成功研發(fā)了一些基于 14nm FinFET 工藝的測(cè)試處理器芯片。 三星稱 14nm FinFET 技術(shù)是未來(lái)發(fā)展的方向， 未來(lái)的

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星宣布與 ARM 簽署了一項(xiàng)與 14nm FinFET 工藝技術(shù)和 IP 庫(kù)相關(guān)的合作協(xié)議，并且還成功研發(fā)了一些基于 14nm FinFET 工藝的測(cè)試處理器芯片。

三星稱 14nm FinFET 技術(shù)是未來(lái)發(fā)展的方向， 未來(lái)的 Exynos 處理器將擁有 PC 式低功耗性能。此外，三星還與合作伙伴共同完成了ARM Cortex-A7 處理器、ARM big.LITTLE 配置和 SRAM 芯片的研發(fā)測(cè)試工作。

三星表示，相比目前的32/28nm HKMG工藝，14nm FinFET工藝會(huì)進(jìn)一步大大改善SoC芯片的漏電率和動(dòng)態(tài)功耗。在未來(lái)的 Exynos 處理器中，三星將采用 ARM big.LITTLE 處理技術(shù)和 14nm 工藝制程，這意味著三星未來(lái)的處理器將更加高效。

為了方便客戶，三星還發(fā)布了工藝設(shè)計(jì)包 PDK，允許他們開(kāi)始基于 14nm FinFET 測(cè)試芯片設(shè)計(jì)模型或者展開(kāi)其他產(chǎn)品設(shè)計(jì)工作。



來(lái)源：weiphone

作者：zhaobin

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