臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET

臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對(duì)晶片設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開(kāi)始14nm FinFET制程。

(點(diǎn)選放大圖片。)

臺(tái)積電的目標(biāo)提前在2013年11月展開(kāi)16nm FinFET制程。

一家類比IP供應(yīng)商表示，該公司首個(gè)20nm 設(shè)計(jì)的模組尺寸太大，讓客戶感到失望。因此，他們不得不重新設(shè)計(jì)包括USB模在內(nèi)的IP──這讓他們多花了一年時(shí)間──用于處理雙重圖形，同時(shí)將面積減少了25%~30%。[!--empirenews.page--]

重新設(shè)計(jì)USB是必要步驟，因?yàn)?0nm制程僅支援1.8V的電晶體。而USB必須支援5V和3.3V操作電壓。

EDA產(chǎn)業(yè)的高層表示，現(xiàn)在要比較臺(tái)積電的16nm FinFET與Globalfoundries 等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有何異同還言之過(guò)早。雖然已經(jīng)有一些早期測(cè)試架構(gòu)出現(xiàn)，但代工廠們才剛剛針對(duì)其FinFET 制程發(fā)布早期設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)。

TSMC的16nm FinFET制程在后端部份大致與其20nm high-K金屬閘極SoC 制程相同，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)對(duì)《EE Times》表示。其他公司也預(yù)期將采用類似做法，即混合14nm 和16nm FinFET 架構(gòu)與其后端的20nm 和22nm 制程。

透過(guò)將14nm 和16nm FinFET架構(gòu)與20nm和22nm的后端制程「嫁接」，代工廠的每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)便可望避免復(fù)雜和昂貴的三倍或四倍圖案微影需求。

Cadence公司針對(duì)目標(biāo)代工廠的自動(dòng)產(chǎn)生客制設(shè)計(jì)流程的方式預(yù)期將能像電晶體般地處理FinFET。但盡管如此，仍有部份設(shè)計(jì)師，特別是從事類比和混合訊號(hào)模組設(shè)計(jì)如USB??等的設(shè)計(jì)師，預(yù)計(jì)都得為了FinFET重新設(shè)計(jì)其核心。

臺(tái)積電的目標(biāo)是明年1月推出16nm 制程的晶片設(shè)計(jì)套件，并在1月底以前發(fā)布首個(gè)功能IP模組，如標(biāo)準(zhǔn)單元和SRAM模組等。該公司自2013年11月起將展開(kāi)所謂的16nm「風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)」。在開(kāi)始生產(chǎn)過(guò)后的4~5季后便會(huì)開(kāi)始投產(chǎn)。

FinFET制程與20nm制程一樣，都有相同的漏電流特點(diǎn)。但前者可提供高達(dá)35%的性能提升，而且相較于20nm制程，總功耗可降低多達(dá)35%，侯永清表示。