臺積電、ARM攜手合作雙方互惠為各自技術(shù)提供最佳化選擇

時間：2012-07-23 18:53:00

關鍵字： ARM 臺積電 FINFET 制程技術(shù)

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[導讀]臺積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術(shù)合作，讓ARM 晶片可運用于FinFET (鰭式場效電晶體) 上，讓晶片設計商能繼續(xù)拓展其在應用處理器上的領先優(yōu)勢。，雙方的合作將能

臺積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術(shù)合作，讓ARM 晶片可運用于FinFET (鰭式場效電晶體) 上，讓晶片設計商能繼續(xù)拓展其在應用處理器上的領先優(yōu)勢。，雙方的合作將能為ARMv8架構(gòu)下的新一世代64位元ARM 處理器、ARM Artisan? 實體IP、以及臺積公司的FinFET制程技術(shù)進行最佳化，以應用于要求高性能和節(jié)能兼?zhèn)涞男袆雍推髽I(yè)市場。
這次的合作雙方將共享技術(shù)資訊和反饋，協(xié)助提升ARM 矽智財與臺積電制程技術(shù)的開發(fā)。ARM 將能藉由制程資訊，設計效能、體積、功率的最佳化完整方案，以降低風險并促使客戶采用。臺積電則能藉由ARM 的最新處理器和技術(shù)，為FinFET 制程技術(shù)制定基準點并且優(yōu)化。臺積電的FinFET 技術(shù)和ARMv8 架構(gòu)結(jié)合將能讓晶圓設計產(chǎn)業(yè)取得跨市場類別，并且持續(xù)創(chuàng)新的解決方案。除此之外，此合作還能改善矽制程、實體IP 和晶圓科技，共同促成嶄新的SoC 科技革新，并且縮短產(chǎn)品上市時間。
臺積電和ARM 在各自領域中皆擁有領先技術(shù)，ARMv8 架構(gòu)延續(xù)了ARM 低功耗的產(chǎn)業(yè)領先地位，臺積電的FinFET 制程則可顯著改善速度和功率，并且降低漏電流，以上的優(yōu)勢都將有助于兩家企業(yè)的共同客戶進行SoC 的創(chuàng)新設計。