臺(tái)積電大步邁進(jìn) 明年開(kāi)始嘗試投產(chǎn)20nm

時(shí)間：2012-07-24 07:24:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電低功耗 FINFET 芯片

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[導(dǎo)讀]40nm、28nm上連續(xù)栽了兩個(gè)跟頭，全球頭號(hào)代工廠臺(tái)積電依然雄心勃勃，已經(jīng)瞄準(zhǔn)了下一站：20nm。臺(tái)積電老大張忠謀近日就表示：“我們會(huì)在明年開(kāi)始部分投產(chǎn)20nm，但只是小規(guī)模的，產(chǎn)量非常低，基本上我們稱之為風(fēng)險(xiǎn)

40nm、28nm上連續(xù)栽了兩個(gè)跟頭，全球頭號(hào)代工廠臺(tái)積電依然雄心勃勃，已經(jīng)瞄準(zhǔn)了下一站：20nm。

臺(tái)積電老大張忠謀近日就表示：“我們會(huì)在明年開(kāi)始部分投產(chǎn)20nm，但只是小規(guī)模的，產(chǎn)量非常低，基本上我們稱之為風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。2014年才會(huì)是20nm SoC大規(guī)模量產(chǎn)的時(shí)候。”

一個(gè)有趣的現(xiàn)象是，臺(tái)積電20nm工藝只會(huì)提供單獨(dú)一個(gè)版本，通吃從高性能GPU到低功耗移動(dòng)CPU的各種芯片，而目前的28nm工藝有至少四個(gè)版本：面向低功耗成本優(yōu)化芯片的28LP (poly/SiON)、用于低功耗應(yīng)用處理器的28HPL (HKMG)、針對(duì)高性能芯片的28HP (HKMG)、綜合了高性能與低功耗技術(shù)而主要面向平板機(jī)/巨屏手機(jī)和輕薄型筆記本處理器的28HPM (HKMG)。

多種技術(shù)版本固然會(huì)有很強(qiáng)的針對(duì)性，但也大大增加了研發(fā)成本和難度，在半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜的今天實(shí)在是疲于應(yīng)付，這才促使臺(tái)積電轉(zhuǎn)變觀念，簡(jiǎn)化成一個(gè)版本。

張忠謀還說(shuō)：“我們預(yù)計(jì)會(huì)在16nm工藝上引入FinFET，大概在2015年的下半年?！?br>
FinFET即鰭式場(chǎng)效晶體管，是一種新的CMOS晶體管，至少可以縮小到9nm，是半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)下一步突破的關(guān)鍵技術(shù)之一，發(fā)明人是加州大學(xué)伯克利分校的臺(tái)灣籍胡正明教授，曾在2001-2004年擔(dān)任臺(tái)積電首席技術(shù)官。Intel、GlobalFoundries等也都在計(jì)劃引入這一技術(shù)。

不過(guò)臺(tái)積電要想量產(chǎn)FinFET 16nm，估計(jì)怎么著也得2016-2017年了。

(本文來(lái)源：中關(guān)村在線網(wǎng)站 )