晶圓代工巨擘Globalfoundries今年資本支出擬增一倍

晶圓代工巨擘Globalfoundries Inc.擴(kuò)張版圖企圖心旺！該公司財(cái)務(wù)長(zhǎng)Robert Krakauer在接受彭博社專訪時(shí)表示，今(2011)年度計(jì)劃將資本支出拉高至54億美元，此金額相當(dāng)于去年度的2倍。報(bào)導(dǎo)指出，這些支出為德國(guó)德勒斯登(Dresden)廠區(qū)升級(jí)所需，同時(shí)用來(lái)支應(yīng)紐約、杜拜兩地新廠興建費(fèi)用。

全球晶圓代工業(yè)龍頭臺(tái)積電(2330)董事長(zhǎng)張忠謀先前曾表示，客戶對(duì)于12寸晶圓需求持續(xù)暢旺，今年資本支出將高于去年的59億美元。此外，相較晶圓代工今年可望有14%增幅，臺(tái)積電今年成長(zhǎng)率將會(huì)超過(guò)14%。三星集團(tuán)(Samsung Group)5日宣布，今年集團(tuán)投資金額將上升18%至43.1兆韓圜(384億美元)，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，當(dāng)中10.3兆韓圜將投資在半導(dǎo)體上。

科技市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner去年12月15日指出，預(yù)期2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出將較2009年的166億美元增加131.2%至384億美元，年增幅度創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。不過(guò)2011年支出恐將年減1%至380億美元。

目前Globalfoundries德勒斯登晶圓廠提供45奈米的絕緣層上覆矽(SOI)制程，不過(guò)正以前柵極高介電值金屬柵極(Gate-First High-K Metal Gate；HKMG)技術(shù)快速發(fā)展32奈米SOI與28奈米bulk CMOS制程，兩者皆屬于前柵極型式。

GlobalFoundries為IBM主導(dǎo)的技術(shù)聯(lián)盟成員之一，其他還有英飛凌(Infineon)、NEC、三星(Samsung)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與東芝(Toshiba)等夥伴。1號(hào)廠晶圓廠原先為隸屬于超微(AMD)的晶圓廠。Globalfoundries是超微在2009年3月2日與阿布達(dá)比國(guó)有的先進(jìn)科技投資公司(Advanced Technology Investment Company；ATIC)合作成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。