Microsemi發(fā)布65nm嵌入式閃存工藝平臺

美高森美(Microsemi) 的SoC產(chǎn)品部(原Actel公司)11月17日于北京發(fā)布了65nm嵌入式閃存工藝平臺。“這是與臺聯(lián)電(UMC)合作開發(fā)的，今后將成為我們低功耗、具有四輸入查找表(LUT)架構(gòu)FPGA的統(tǒng)一平臺。適于工業(yè)、醫(yī)療、軍事/航天、航空、通信和消費產(chǎn)品市場。目前已完成首個商業(yè)化硅器件?！笔袌鐾茝V及銷售高級副總裁Jay Legenhausen表示。

圖1 65nm嵌入式閃存工藝平臺的低功耗特性

圖2美高森美FPGA架構(gòu)重點


65nm嵌入式閃存工藝平臺的主要特點包括，將FPGA的器件密度從此前130nm工藝的300萬邏輯門增加到上千萬門，性能也會提升1倍。此外，動態(tài)功耗降低了65%，增強的Flash*Freeze技術(shù)可降低靜態(tài)電流；采用了ARM Cortex-M3微處理器架構(gòu)，及DSP模塊；具有防止篡改、防止過度建設(shè)（overbuild）的保護功能；集成了標準總線接口、高速收發(fā)器、存儲器接口、非易失性閃存和可編程模擬部件。

目前，65nm嵌入式閃存工藝平臺的廠商除美高森美外，還有東芝、瑞薩電子、三星、飛思卡爾、塞普拉斯等。筆者認為，該市場已顯得越來越擁擠，競爭也會更趨激烈。

Legenhausen還透露，65nm第四代耐輻射(RT)FPGA有2000萬個系統(tǒng)門，提高了觸發(fā)器、存儲器容量，并集成了更多的嵌入式IP內(nèi)核，如DSP模塊、PLL和SpaceWire、DDR2/3、PCI Express高速接口。能夠緩減總體輻射劑量和單事件效應(yīng)(SEE)。相比SRAM FPGA，由于固有單事件翻轉(zhuǎn)(SEU)免疫能力，只需單個FPGA即可。主要應(yīng)用于太空領(lǐng)域。

同時發(fā)布的還有通過-55℃~+100℃測試的Fusion混合信號FPGA。分別含有60萬和150萬等效系統(tǒng)門，223個用戶接口。其主要特點是可重編程、高可靠性和非易失性，及固件錯誤免疫。在極端溫度下監(jiān)控并管理電壓、溫度和電流的能力，使其適于軍事、航空和防御行業(yè)，如在極端環(huán)境運作的軍用武器和下翼航行器系統(tǒng)。

據(jù)了解，耐輻射FPGA和Fusion FPGA將向日本、韓國和臺灣市場供應(yīng)。不過，除工業(yè)應(yīng)用外，不會向中國軍用市場提供。（特約記者 漢夫）