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[導(dǎo)讀] 日前,全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出,這是由臺(tái)積電幫助海思半導(dǎo)體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露,這個(gè)成果表明了臺(tái)積電的16納米技術(shù)在面對(duì)英特爾以及三星的強(qiáng)力壓力下,已

 日前,全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出,這是由臺(tái)積電幫助海思半導(dǎo)體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露,這個(gè)成果表明了臺(tái)積電的16納米技術(shù)在面對(duì)英特爾以及三星的強(qiáng)力壓力下,已取得壓倒性的勝利。

此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。

臺(tái)積電的這項(xiàng)成就,是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露,針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)(tape-out)后,點(diǎn)出臺(tái)積電在16納米FinFET的重要成果。

不愿具名的設(shè)備商指出,臺(tái)積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器,等于宣告海思具備可以提供自家集團(tuán)華為的核心處理器。該晶片是以ARMv8架構(gòu)為基礎(chǔ)的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)絡(luò)芯片,運(yùn)算速度可達(dá)2.6GHz。

華為目前是向英特爾采購(gòu)以22納米制程的網(wǎng)絡(luò)芯片,臺(tái)積電與海思的合作,也代表中國(guó)大陸已具備自主生產(chǎn)高階網(wǎng)絡(luò)芯片的地位,對(duì)英特爾帶來一定程度的威脅。

同時(shí)根據(jù)設(shè)備業(yè)者消息,臺(tái)積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片(try run)先前作業(yè)階段,可望提前至第4季試產(chǎn),主要客戶除了繪圖晶片廠英偉達(dá)(NVIDIA)、FPGA廠商賽靈思(Xilinx)、手機(jī)芯片廠商高通外,眾所矚目的蘋果新款應(yīng)用處理器也將試投片清單中。

對(duì)臺(tái)積電而言,臺(tái)積電也用實(shí)例,向英特爾證明臺(tái)積電16納米FinFET制程,并未如先前英特爾唱衰在芯片閘密度比英特爾還低30%,臺(tái)積電不但在20納米就已超越英特爾,16納米FinFET更大幅領(lǐng)先。

此外,面對(duì)三星先前一直強(qiáng)調(diào)16納米FinFET遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先臺(tái)積電,臺(tái)積電率先提出產(chǎn)出成功案例,回?fù)羧堑目谒畱?zhàn),等于左打英特爾,右踢三星,臺(tái)積電有信心在16納米FinFET會(huì)取得壓倒性勝利。

相較于臺(tái)積電的28納米高效能行動(dòng)運(yùn)算(28HPM)制程,16納米FinFET制程的晶片閘密度增加兩倍,在相同功耗下速度增快逾40%,或在相同速度下功耗降低逾60%。

臺(tái)積電的16納米FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性驗(yàn)證,良率表現(xiàn)優(yōu)異,如今進(jìn)入試產(chǎn)階段,為臺(tái)積電與客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。

半導(dǎo)體人士強(qiáng)調(diào),半導(dǎo)體評(píng)斷技術(shù)實(shí)力,看的是晶體管效能、芯片金屬層連結(jié)及芯片閘密度,后二者臺(tái)積電都已超越英特爾,一旦臺(tái)積電二年內(nèi)在晶體管效能追平英特爾,臺(tái)積電將可正式躍居全球半導(dǎo)體新霸主地位,為臺(tái)灣締造新的歷史地位。

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