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[導讀]“功率半導體在節(jié)約能源方面起著重要的作用,然而之前令人無奈的是市場卻很小,但是,2017年世界市場規(guī)模超過了2兆日元(約1,200億人民幣),特別是EV、混合動力汽車、燃料電池車等方面發(fā)展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度評價具有優(yōu)越的材料特性?!?

“功率半導體在節(jié)約能源方面起著重要的作用,然而之前令人無奈的是市場卻很小,但是,2017年世界市場規(guī)模超過了2兆日元(約1,200億人民幣),特別是EV、混合動力汽車、燃料電池車等方面發(fā)展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度評價具有優(yōu)越的材料特性。”

就職于大阪大學研究生院的客座教授—-中村 孝先生發(fā)表了以上看法。中村先生從1990年到2018年在羅姆株式會社從事鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric Random Access Memory)、SiC 功率器件的的研發(fā)工作,是羅姆公司研究開發(fā)總部的統(tǒng)括部長。在功率半導體的世界里,可謂沒有人不知道他的名字。

SiC 功率半導體器件漸漸地開始被車載市場開始采用。(照片:infineon的SiC power device)

中村先生還說到,功率半導體市場融合電力和周波數(shù),同時開發(fā)各種各樣的產(chǎn)品。在動作周波數(shù)高的領域里,硅制MOSFET(金氧半場效晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是“主角”;在家電領域里,反而更多使用動作周波數(shù)更低的功率IC。從電力變換容量方面來說,在最高領域里,晶閘管(Thyristor)和GTO(Gate—Turn-Off)是最活躍的。用途大約位于中等地位的是IGBT模組,可以說可以“變著花樣”使用。

各大公司積極進行投資

功率MOSFET的正在擴大用于各種電源、適配器、照明、DVD、車載等領域,東芝是量產(chǎn)MOSFET的大公司,據(jù)他們公司的干部說現(xiàn)狀是,“無論怎么生產(chǎn),都不夠用”。為了滿足現(xiàn)狀市場需求,在石川縣的主力工廠正在進行超過100億日元(約6億人民幣)的擴大產(chǎn)能工作,而且也在考慮再增加投資。

據(jù)露,東芝計劃到2020年度,將把功率半導體產(chǎn)能增加至2017年度的1.5倍。將以保持滿負荷運轉的生產(chǎn)子公司加賀東芝電子為中心增強設備。此外,東芝姫路半導體工廠(位于兵庫縣太子町)和泰國的半導體工廠也將加強組裝工序。

投資額在3年里預計達到約300億日元。東芝正在制造被稱為“分離式(Discrete)”的功率半導體。該產(chǎn)品的利潤率高達10%左右,因此東芝考慮將分離式功率半導體業(yè)務的銷售額到2020年度增加25%,達到2000億日元。在將全年銷售額達到4000億日元以上的存儲器業(yè)務出售之后,東芝為實現(xiàn)經(jīng)營重建,希望將分離式功率半導體培育為新的盈利業(yè)務支柱之一。

日本國內(nèi)最大企業(yè)三菱電機2018年度將以位于熊本縣和中國的主力工廠為中心,投資約100億日元。以功率半導體為中心的功率器件業(yè)務到2022年度力爭實現(xiàn)2000億日元銷售額。

富士電機也將在2018年度內(nèi)投入200億日元,增強國內(nèi)工廠設備。開發(fā)面向純電動汽車、小型輕量化的功率半導體。該公司2017年度剛剛形成量產(chǎn)體制。2020年度以后將追加投資300億日元,希望將功率半導體的2023年度銷售額增加至現(xiàn)在的1.5倍,達到1500億日元。

羅姆公司則集中于生產(chǎn)SiC 器件,為了擴大用于產(chǎn)業(yè)的機器和面向車載的IGBT模組,繼續(xù)進行對位于滋賀縣石山工廠的已經(jīng)量產(chǎn)的8inch 晶元IGBT的投資。富士電機、三菱電機等公司在超過已投資金額的基礎上,繼續(xù)對功率半導體進行投資,其投資的重點還是IGBT。

瞄準增長市場的不僅僅是日本企業(yè)。世界最大企業(yè)德國英飛凌科技公司 (Infineon Technologies AG)3月與上海汽車合資,在上海成立了功率半導體模塊的制造公司。而美國半導體巨頭安森美半導體(ON Semiconductor)也將以車載半導體為中心,擴充功率半導體產(chǎn)品。

中國的比亞迪也在日前表示,明年會將其IGBT的產(chǎn)能從現(xiàn)在的5萬片提升到十萬片左右。

順便說一下,IGBT的歷史并不是很久遠。1990年左右進入市場,最初并未成為人們的話題。登場的契機居然是因為用在了豐田的混合動力車--“PRIUS-普銳斯”上,自那以后,開始逐漸推廣用于汽車上。

SiC功率器件以電動車為中心,擴展用途

以IGBT為“主角”功率半導體市場很活躍,SiC功率半導體也相當備受矚目。Band gap(禁帶寬度)比硅(1.12)高3.26,熱傳導率也比硅(1.5)高4.9。在周波特性方面也很突出,在對應高電壓方面也實現(xiàn)了1,200V以上??梢哉f,對于高電壓、高電流應用方面是最合適的功率器件。

據(jù)中村先生說,“羅姆公司在本田的Clarity(一款氫燃料電池電動車)上搭載了SiC功率器件,它是世界首次用Full SiC驅(qū)動的燃料電池車,由于具有高溫條件下動作和低損耗特點,可以縮小用于冷卻的散熱片,通過高頻切換也實現(xiàn)了電抗器的小型化。為此,擴大了內(nèi)部空間,豐田的燃料電池車MIRAI可以坐4個人,本田的Clarity實現(xiàn)了5人座”。

SiC功率器件的目標市場是EV、混合動力車、燃料電池車等電動車。最近也開始用于功率調(diào)節(jié)器(power conditioner)、工業(yè)機器的電源等方面。成本方面相當具有優(yōu)越性。也開始搭載在鐵道上,JR的新干線N700系列等已經(jīng)使用,但是只采用了三菱電機公司的Full SiC。富士電機、日立制作所、東芝等公司還沒有實現(xiàn)Full。

德國英飛凌同樣是SiC市場一個重磅玩家。

據(jù)英飛凌工業(yè)功率控制部門副總裁、大中華區(qū)副總裁于代輝介紹,英飛凌在SiC方面的研究已經(jīng)超過了十五年,近年來更是投入三千五百萬歐元對SiC設備和相關工藝的研發(fā),并和可靠6英寸SiC晶圓供應商建立了可靠的合作關系,保證了其SiC晶圓的供應;再加上他們頂尖的研發(fā)和技術支持團隊加持,英飛凌的SiC研發(fā)進展順利,并推出了CoolSiC系列產(chǎn)品。

據(jù)介紹,不同于市場上大多采用類似平面DMOS的設計,英飛凌的SiC產(chǎn)品是采用溝槽式概念,這種設計能緩和平面溝道的極低電導率,為此能夠克服性能與魯棒性之間的兩難問題。

在今年十一月,11月13日,英飛凌(Infineon)宣布,其已收購一家名為 Siltectra 的初創(chuàng)企業(yè),將一項創(chuàng)新技術(Cold Spilt)也收入了囊中。“冷切割”是一種高效的晶體材料加工工藝,能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低,這能大大提升SiC晶圓的切割效率,并能降低成本。

因為其SiC產(chǎn)品被全球的電動車明星特斯拉采用的意法半導體在這個市場的表現(xiàn)也不容忽視。在早些時候,意法半導體CEO在接受半導體行業(yè)觀察等媒體采訪也談到,該公司的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)批量出貨,年出貨金額在今年能突破一億美元,市場占有率高達90%;

國內(nèi)的比亞迪在日前同樣宣布了他們在SiC方面的布局。據(jù)介紹,公司已投入巨資布局第三代半導體材料SiC,并將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產(chǎn)業(yè)鏈,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在電動車領域的應用。

比亞迪宣布,他們已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET(汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年,比亞迪將在旗下的電動車中,實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。

其他諸如安森美、東芝、富士電機、三菱、、Littelfuse、通用電氣和GeneSiC等公司也都是SiC市場的重要玩家,他們都在摩拳擦掌,虛位以待。

晶圓完全供不應求

功率半導體繼續(xù)發(fā)展以車載應用為主要目標,實現(xiàn)了擴展IGBT、采用SiC,同時,它將在2030年成為4.5兆日元(約2,700億人民幣)的大市場。但是,最大的瓶頸問題是晶片的供不應求,尤其是SiC。

以汽車應用為例,我們知道,功率半導體對硅片的消耗量巨大,一般情況下,一片8英寸硅片僅能切割70~80顆IGBT芯片。但新能源汽車的出現(xiàn),將這個需求推到了一個新高度。

例如在純電動車方面,一輛tesla model x汽車需要使用84顆IGBT,這樣算來,基本上一輛車就要消耗掉一片硅片?;旌蟿恿ζ嚨墓β拾雽w用量相對較少,以寶馬i3為例,單輛汽車的功率半導體硅片消耗量約為1/4片。

預計到2022年,全球電動車銷量有望突破1000萬輛,以平均每輛車消耗1/2片硅片計算,對應功率半導體硅片消耗量將達到500萬片左右。這就給相應的硅片帶來了供應緊張,而今年以來的功率器件供應問題,也是這種情況的反應之一。

而在面臨爆發(fā)的SiC的碳化硅,也同樣有晶圓問題。據(jù)了解,碳化硅晶圓,光長晶的時間,就約需要7至10天,而且生成的高度可能只有幾吋而已(硅晶棒可達1至2米以上),再加上后續(xù)的加工制程也因為硬度的影響而相對困難,因此其產(chǎn)能十分有限,品質(zhì)也不穩(wěn)定。

據(jù)中村先生說,羅姆公司收購了SiCrystal公司,實現(xiàn)了原材料的調(diào)配,但是其他廠家現(xiàn)狀非常嚴峻。

當今,只有一半的市場需求得到了滿足。長此以往,有可能會失去市場,Cree公司的供給責任雖然比較大,但是SICCAS、SICC、CETC、CENGOL、SKC等亞洲公司和昭和電工等的增產(chǎn)體制應該會手握今后發(fā)展的“鑰匙”吧。

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