我們認為，除非經(jīng)濟危機再次來襲，否則，市場的強大需求將在2011年繼續(xù)，尤其是新能源、工業(yè)以及汽車市場等。所以，無論是增長率、出貨量還是供給平衡，都將比2010年更強勢。
市場的規(guī)模將取決于多個方面，比如宏觀經(jīng)濟狀況、市場增速、相關企業(yè)的發(fā)展等。由于經(jīng)濟復蘇力度的加大以及市場需求的總體上升，再加上不斷提高的電力消耗對能效要求的日趨嚴格，英飛凌相信功率市場的發(fā)展大有潛力，將遠遠超過2010年的態(tài)勢。
發(fā)展迅速的亞洲市場將繼續(xù)占據(jù)我們收入的重要部分，尤以中國和印度居先。英飛凌也將繼續(xù)拓展在亞洲的業(yè)務，抓住中國政府大力投資于基礎設施的契機，在中國的新能源等市場抓住商機。我們預計，2011年，新能源的發(fā)展將進一步加速，尤其是風能和太陽能。
英飛凌副總裁兼執(zhí)行董事尹懷鹿David Yin
工業(yè)市場的潛力不可小覷。英飛凌是全球功率半導體和模塊市場排名第一的企業(yè)，功率產品為公司創(chuàng)造了約75%的利潤來源。電力是能源傳輸和使用最高效和最安全的形式之一。功率半導體在提高整個電力供應鏈（從發(fā)電、輸配電到最后的用電）的能效方面發(fā)揮著至關重要的作用。功率半導體可提高電子設備的電源能效。在可再生能源領域，它們在將風電和太陽能電力接入電網(wǎng)以及減少輸電損耗方面，都發(fā)揮了極其重要的作用。隨著節(jié)能的話題日益提上議程，相信功率半導體的市場機會也將無窮大。
汽車電子也是我們非常專注的領域，隨著中國繼續(xù)成為全球汽車最大的單一國際市場，對半導體的需求持續(xù)加大，作為全球最大的汽車半導體供應商，我們將繼續(xù)擴大在傳統(tǒng)汽車電子領域的支持，同時，更加關注一些市場的熱點，尤其是新能源汽車領域的核心部件，比如電動汽車的驅動、電池管理、車載充電等等，都將給我們帶來想象豐富的市場空間．我們相信我們會在這些領域繼續(xù)我們的領頭羊角色。
2011年，英飛凌將繼續(xù)專注于三個領域：高能效、移動性和安全性，安全芯片、汽車、新能源是我們的重點目標市場。目前，英飛凌擁有功率半導體、功率模塊、模擬IC、傳感器、微控制器、芯片卡和安全IC等完善產品，在汽車、電源、芯片卡等目標市場排名靠前，并相信這些市場將在2011年一如既往為公司帶來市場機會。
英飛凌有用于風能和太陽能的先進產品，包括CoolMOS、SiC二極管、分立IGBT、IGBT模塊以及完善的逆變器產品的，可以抓住這兩類新能源的發(fā)展契機。
在家電、開關電源（SMPS）和照明領域，向更高的能源效率發(fā)展以降低能源消耗的趨勢非常明顯。英飛凌可提供相關產品和解決方案支持客戶實現(xiàn)最高的能源效率，例如：SMPS P90+認證、LED T8燈管。
在汽車行業(yè)，提高燃料效率和降低排放將繼續(xù)成為市場的主流。新能源汽車也將異軍突起。事實上，汽車中所采用到的各種被動元件和功率模塊都可以通過提高性能來推動節(jié)能減排。英飛凌的HybridPACK1和HybridPACK2的IGBT模塊就是專為節(jié)能減排的HEV和EV而開發(fā)。
此外，在安全領域，我們預計電子ID證件的增長將繼續(xù)，比如電子護照，帶芯片的身份證件等。我們也認為，越來越多的證件，如駕照以及社會保障卡等，都將內置安全芯片。
對中國系統(tǒng)制造商而言，2011年將面臨的最大技術挑戰(zhàn)是如何保證高復雜系統(tǒng)的可靠性和實現(xiàn)更高的能效。特別在汽車領域，安全和質量是嚴酷的考驗，尤其是在新的應用領域，如何能在嚴酷的條件下保證在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽車本身所帶來的大范圍溫度變化（從零下四十度到零上一百五十度），由路面顛簸所帶來的強烈機械震動，復雜混亂的電子干擾等等。在汽車動力引擎方面，由于汽車系統(tǒng)復雜度越來越高，對于功率驅動和主控芯片都提出更高要求。我們會堅持質量第一的信念，把最可靠的器件和系統(tǒng)帶到中國。
工業(yè)領域的產品應用也十分廣泛，從10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，簡單控制到復雜控制，如4瓦LED燈泡到6500千伏牽引系統(tǒng)。要為這么廣泛的應用提供高能源效率解決方案，需要一個廣泛的產品組合，以為各項應用提供性價比最佳的產品，同時必須掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模塊等多種技術。
目前在汽車、工業(yè)和芯片卡市場，英飛凌是排名第一的龍頭企業(yè)。我們完善的產品線可以為能源效率、移動性和安全性市場的快速發(fā)展提供極大的推動作用。
為了應對上述汽車電子系統(tǒng)的挑戰(zhàn)，英飛凌開發(fā)了汽車級的IGBT模塊。這些汽車專用的IGBT模塊充分考慮了以上的技術挑戰(zhàn)，在設計和生產時作出了充足的保護安排，在認證和測試時也進行了全面的考慮，比如，抗震動能力，我們對汽車級模塊會以五倍重力加速度三十小時來做考驗，而工業(yè)級器件一般僅做兩倍重力加速度兩小時的測試；還有溫度沖擊測試，即在零下四十度到零上一百五十度之間做快速的循環(huán)變化，汽車級我們會做一千次，而工業(yè)級僅做五十次，這個指標反映器件未來的壽命。除器件之外，為更好地幫助大家的開發(fā)，我們在國內也推出相關的參考設計，相信這些參考設計能幫助大家縮短開發(fā)周期。
在功率電子領域，主要的驅動力是提高能效和功率密度，比如降低導通電阻和開關損耗。 在高壓市場版塊，我們在碳化硅技術方面的發(fā)展十分先進，已經(jīng)進行了多年的量產。英飛凌的JFET和MOSFET也處于產品開發(fā)階段，第一種類型將在接下來兩三年入市。 而在低壓領域，我們正在開發(fā)GaN類型的產品，以降低開關成本。
封裝技術也是我們實現(xiàn)差異化的一個重要方面。依靠.XT這種新的IGBT模塊連接技術，我們進行了一系列創(chuàng)新。比如芯片前端和后端的壓焊連接加強，及在流程中利用擴散錫焊的方法等。.XT技術將IGBT模塊的使用壽命提高10%，這對于如商用車以及風能發(fā)電站等強大應用來說尤其重要。
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