2010年2月8日開幕的“ISSCC 2010”的“Session 10： DC-DC Power Conversion”是一場開關電源技術研討會。此次的熱點是，開關電源的數(shù)字反饋控制（論文序號10.2，10.4）技術、微細CMOS工藝用完全片上型開關電容器電源（論文序號10.7，10.8）技術以及極型無線發(fā)送設備用電源調(diào)制電路的高效化寬頻帶化技術（論文序號10.1）。另外，在2009 年的ISSCC上，電源技術研討會是與class-D型音頻放大器技術研討會合辦的，而此次是單獨舉行的。
開關電源的數(shù)字化又進了一步
臺灣臺積電（TSMC）發(fā)布了利用40nm CMOS工藝制造的降壓型開關電源（論文序號10.2）。為了在1.1V低電源電壓下啟動電源電路中唯一的模擬電路——A-D轉(zhuǎn)換器，采用了1級ΔΣ型 AD轉(zhuǎn)換器。通過在輸入部中采用可除去共模信號成分的開關電容器電路，將輸入范圍抑制在了±20mV。數(shù)字PWM電路方面，通過在輸入部設置1bitΔΣ 調(diào)制器，使低頻噪聲成功削減了20dB。不含驅(qū)動器部分在內(nèi)的控制電路面積僅為0.1mm2。輸出200mA電流時，效率高達90％。
美國亞利桑那州立大學（Arizona State University）發(fā)布了采用0.18μm CMOS工藝制造的降壓型開關電源（論文序號10.4）技術。A-D轉(zhuǎn)換器采用了由環(huán)型振蕩器和數(shù)字微分電路構成的1級ΔΣ型AD轉(zhuǎn)換器。數(shù)字PWM電路方面，通過在5bit計數(shù)器中嵌入DLL，將分辨率提高到了9bit。
數(shù)字控制電源一般不易受到工藝差別等的影響，比較適合微細CMOS工藝，但必須具備A-D轉(zhuǎn)換器和數(shù)字PWM電路。今后，估計這些電路的低功耗化、小面積化及高精度化技術會受到關注。
面向最尖端CMOS工藝，挑戰(zhàn)開關電容器型電源的高效化
美國MIT和美國愛荷華州立大學（Iowa State University）及美國德州儀器（Texas Instruments）發(fā)布了設想在無線系統(tǒng)中混載的開關電容器（SC）型電源（論文序號10.7）技術。為了避免發(fā)生EMI問題，未選擇原來的開關頻率控制方式，而采用了電容器值控制方式。通過這種方式，實現(xiàn)了開關頻率恒定的穩(wěn)壓器。采用45nm CMOS工藝制造時，該電源電路的最大輸出電流和最大效率分別為8mA和69％。電路面積只有0.16mm2。
由于SC型電源不需要外置部件，而且可隨著微細化程度的提高而縮小面積，因此其面向微細CMOS工藝的開發(fā)正在加速。今后仍需繼續(xù)關注SC型電源。
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