上海威爾泰選擇Ramtron串行F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16
隨著工業(yè)領(lǐng)域中的過(guò)程控制的日益復(fù)雜，如化工、制藥、電力、水處理和食品加工等行業(yè)，智能壓力變送器已日益受到歡迎。2000S壓力變送器具有多項(xiàng)先進(jìn)的功能，包括雙向通信、遙控校正及自我診斷。這些功能可實(shí)現(xiàn)更高的精度、更高的可靠性，以及更先進(jìn)的通信協(xié)議，從而減少啟動(dòng)和維護(hù)的時(shí)間、工作量及成本。
2000S產(chǎn)品將傳感技術(shù)與智能電子結(jié)合在單一封裝中，而非易失性F-RAM存儲(chǔ)器具備快速寫入、高耐用性及低功耗特點(diǎn)，是這種先進(jìn)設(shè)計(jì)必不可少的元件。在2000S中，F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)各種配置參數(shù)，如變送器范圍、信號(hào)類型、流體特性等，并在斷電時(shí)保存這些數(shù)據(jù)，使到變送器在電源恢復(fù)后可即時(shí)投入使用。F-RAM還可存儲(chǔ)2000S自動(dòng)化自我校正例行程序的校正/補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并執(zhí)行事件與數(shù)據(jù)記錄，系統(tǒng)可以使用這些數(shù)據(jù)來(lái)診斷是否需要維護(hù)。
上海威爾泰研發(fā)工程師解釋道：“我們?cè)诎踩闹悄?000S壓力變送器中使用F-RAM代替EEPROM，能加快寫入速度、提高耐用性，并提升總體安全性以防止?jié)撛诘谋āＮ覀兪卓?000S設(shè)計(jì)采用了EEPROM，但卻不能通過(guò)功耗測(cè)試，因?yàn)?000S的總體工作電流小于3.6mA。F-RAM的功耗低特性能實(shí)現(xiàn)固有安全性，其快速寫入速度更減少了可變性，以及降低新型智能壓力變送器中微處理器(MPU)的成本開銷?！?
F-RAM替代EEPROM
固有安全性：2000S是“固有安全性”的設(shè)備，意味著其設(shè)計(jì)可避免釋放能量從而導(dǎo)致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作電流非常低的存儲(chǔ)器，如F-RAM。
減少可變性：F-RAM的快速寫入對(duì)減少計(jì)算過(guò)程測(cè)量數(shù)據(jù)的可變性必不可少，這可為自我診斷帶來(lái)更準(zhǔn)確的測(cè)量數(shù)據(jù)、更多的系統(tǒng)控制能力及更高的盈利。
降低MPU開銷：2000S包括用于復(fù)雜計(jì)算的MPU。由于智能壓力變送器應(yīng)用的處理量越來(lái)越密集，F(xiàn)-RAM的快速寫入優(yōu)勢(shì)可以降低MPU的開銷。
關(guān)于FM25L16 F-RAM
F-RAM存儲(chǔ)器提供與RAM技術(shù)相同的功能，但卻是非易失性的。它提供“無(wú)延遲”(NoDelay)寫入、幾乎無(wú)限的寫入耐用性(寫入次數(shù)大約為1e14)，以及低功耗。FM25L16是帶有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)的16Kb F-RAM存儲(chǔ)器，可以在高達(dá)18MHz的總線速度及低工作電流下連續(xù)進(jìn)行讀寫操作。而同級(jí)EEPROM器件的寫入延遲長(zhǎng)，備有寫入輪詢軟件，耐用性低于100萬(wàn)次寫入，且在較高功率下工作。FM25L16采用無(wú)鉛的8腳SOIC和DFN封裝，在工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作電壓為3V。
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