美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

美國硅谷一家公司１９日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。

這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有ＮＡＮＤ型閃存芯片的４倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的５倍到１０倍。

ＮＡＮＤ型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認為，ＮＡＮＤ型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高?！敖y(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲器旨在充當閃存的替代品和“接班人”。

該公司介紹說，新技術(shù)主要基于帶電離子在特定材料之間的運動來實現(xiàn)信息的存儲，其存儲單元不像閃存需要采用晶體管，因此在存儲密度等方面比閃存更有優(yōu)勢。

“統(tǒng)一半導(dǎo)體”是一家創(chuàng)業(yè)公司，２００２年創(chuàng)立至今共獲得約７５００萬美元風(fēng)險投資。它計劃于２０１０年下半年試生產(chǎn)容量達６４Ｇ的新型存儲器，并打算２０１１年第二季度將其投入量產(chǎn)。

 一些業(yè)內(nèi)人士認為，新產(chǎn)品能否在價格上真正具有競爭力，將是“統(tǒng)一半導(dǎo)體”需要面對的考驗之一。此前也有公司嘗試推出ＮＡＮＤ型閃存的替代產(chǎn)品，但都未能解決成本過高的問題。