三星電子率先量產了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術。
還是首先看看三星的吧。
現(xiàn)在已經能夠做到24層堆疊，單顆容量128Gb(16GB)，并計劃2017年左右做到單顆1Tb(128GB)。
全球首款基于3D V-NAND閃存的固態(tài)硬盤，乍一看和普通產品沒啥區(qū)別。
3D閃存達到同等容量固態(tài)硬盤所需的顆粒更少，而且性能更好(持續(xù)寫入快22%/隨機寫入快20%)、功耗更低(平均功耗低27%/峰值功耗低45%)。
SK海力士在現(xiàn)場擺放了一塊300毫米的閃存晶圓，正是使用3D堆疊技術制造的，單顆芯片容量和三星一樣也是128Gb(16GB)，屬于MLC NAND類型。
海力士預計2014年第一季度將其投入商用。
海力士的3D閃存晶圓
2D、3D NAND閃存結構對比
SanDisk則是與東芝一起開發(fā)3D NAND，還起了個自己的名字“BiCS”，不過得到2015年下半年才會投入試產，看起來起步比較晚。
SanDisk表示，屆時會使用1z nm工藝。
——閃存行業(yè)一般不明確標識具體的制造工藝(至少初期)都很模糊，而是使用1x、1y、1z nm等標識方法，越往后越先進，比如1x目前基本代表19nm，1y應該在15nm左右，1z則會非常接近10nm。
SanDisk NAND閃存工藝、技術路線圖：2013年底到2014年初投產1y nm，2014年底到2015年初投產1z nm，2015年下半年才有3D閃存
3D比較落后，SanDisk就把介紹重點放在了2D閃存上
3D閃存上，SanDisk要落后整整一個時代
一直在閃存行業(yè)處于領先地位的美光怎么能少了呢?但是對于3D閃存此番介紹得同樣很模糊，只說會在合適的時候介紹給大家。
根據(jù)規(guī)劃，美光即將量產16nm閃存工藝，接下來就會推出3D閃存，容量達256Gb(32GB)，而且還是和Intel合作的。
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