WSTS(全球半導體貿易統(tǒng)計組織)日前發(fā)布了WSTS2011年春季半導體市場預測。與2010年11月發(fā)布的秋季預測相比，整體進行了上調。其中，只有日本市場進行了下調。下調的原因是，日本在短期內會受到東日本大震災造成的影響，從中長期來看日本市場的主力——消費產品用半導體將陷入低迷，無法推動半導體市場的發(fā)展。
WSTS發(fā)布的資料顯示，預計2011年全球半導體市場規(guī)模為比上年增加5.4%的3144億1000萬美元，比秋季預測的3138億3700萬美元上調了3億7300萬美元。WSTS預測認為，之后仍將繼續(xù)穩(wěn)步增長，2012年為比上年增加7.8%的3383億7500萬美元、2013年為比上年增加5.4%的3566億1300萬美元。最終，2010～2013年的年均增長率將達到6.1%/年。除日本外，其他所有地區(qū)都呈現出這種趨勢。美國為7.5%/年、歐洲為8.1%/年、亞太地區(qū)為6.2%年。均超過全球年均增長率。
只有日本市場低于全球水平。其年均增長率為2.5%/年。雖然這個數值較低，但也呈現出了增長態(tài)勢。不過，其中包含了2011年日元不斷升值帶來的效應，如果按日元換算的話，僅為0.3%/年，幾乎沒有增長。具體情況是，預計2011年日元和美元的匯率將從2010年的87.7日元/美元升至82.3日元/美元。因此，2011年日本市場按日元換算，將比上年大幅下滑12.0%，按美元換算將比上年下滑6.2%。換算成日元來看，日本市場進入2013年后的規(guī)模也只有4萬億1255億日元，僅為歷史最高水平——2007年5萬億7497億日元的70%左右。另外，預計2012年和2013年的匯率均將保持82.3日元/美元。
從不同產品來看，2010～2013年年均增長率較高的是傳感器和MOS Micro，均超過了10%/年。年均增長率較低的是MOS存儲器，僅為0.9%。此外均在5～7%/年的范圍內。MOS存儲器增長率較低的原因是，2011年為比上年減少2.7%的負增長。預計NAND閃存將比上年增加15.6%，繼續(xù)穩(wěn)步增長，但DRAM由于價格下滑等影響，將比上年減少11.5%。
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