英特爾三星14納米來勢洶洶 臺積電迎戰(zhàn)

全球半導(dǎo)體大廠臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露，面對競爭對手14納米進(jìn)逼，臺積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn)，傳出內(nèi)部針對16納米制程規(guī)劃3個版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開始說服客戶導(dǎo)入。

三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部已完成14納米FinFET設(shè)計、制程技術(shù)研發(fā)，正與應(yīng)用處理器(AP)業(yè)者進(jìn)行測試，三星14納米制程除量產(chǎn)自主研發(fā)的行動應(yīng)用處理器Exynos，亦將強(qiáng)化與高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)等業(yè)者合作，三星計劃藉由14納米FinFET制程世代，大舉重振系統(tǒng)芯片事業(yè)，未來三星在代工事業(yè)發(fā)展上，14納米FinFET制程將是相當(dāng)重要的一步。

英特爾方面，14納米FinFET制程已達(dá)到可生產(chǎn)芯片水準(zhǔn)，目前生產(chǎn)線亦已完成穩(wěn)定性驗證，正在進(jìn)行后段制程的封裝測試。英特爾2012年在大陸成都工廠首度架構(gòu)14納米FinFET后段制程實驗產(chǎn)線，計劃2014年上半在哥斯大黎加工廠亦架設(shè)14納米制程產(chǎn)線，至于英特爾行動應(yīng)用處理器14納米FinFET制程研發(fā)，則將在美國總公司內(nèi)進(jìn)行。

由于英特爾曾在22納米制程引進(jìn)FinFET技術(shù)，因此在14納米FinFET制程可望領(lǐng)先群雄，惟14納米FinFET制程用在行動應(yīng)用處理器時能發(fā)揮多大性能，仍是未知數(shù)。三星在FinFET制程技術(shù)亦不遑多讓，南韓業(yè)者表示，三星14納米FinFET制程在應(yīng)用處理器和SRAM等記憶體測試時，都獲得不錯成果，未來半導(dǎo)體三強(qiáng)在應(yīng)用處理器和代工市場競爭將越演越烈。

面對英特爾、三星14納米制程挑戰(zhàn)，臺積電將藉由16納米制程全面反擊，近期業(yè)界傳出臺積電將罕見地在同一個制程世代上，還沒進(jìn)入正式試產(chǎn)，就推出16納米FinFET+新版本，且將在2015、2016年規(guī)劃終極版，暫訂為16納米FinFETTurbo版本，顯見臺積電對于16納米制程世代必勝的決心。

半導(dǎo)體業(yè)者透露，臺積電深知16納米世代將面臨硬仗，相較于28及20納米世代挑戰(zhàn)大很多，遂針對16納米制程往后3年的作戰(zhàn)計劃，已擬好3個版本陸續(xù)上陣，根據(jù)臺積電規(guī)畫，16納米制程會在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，屆時可能會由16納米FinFET+新版本披掛上陣，預(yù)計2015年初導(dǎo)入量產(chǎn)，成為搶下蘋果下世代A9處理器芯片訂單一大利器。

由于三星傳出14納米制程亦是在2014年底、2015年初進(jìn)入試產(chǎn)，腳步緊跟著臺積電，尤其三星在策略上跳過20納米，將多數(shù)資源放在14納米制程，就是為與臺積電一較高下。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺積電與三星決勝關(guān)鍵將是在良率和耗電量表現(xiàn)，由于臺積電一向在先進(jìn)制程良率表現(xiàn)突出，可望成為扳倒三星的關(guān)鍵點。

事實上，臺積電過去一直強(qiáng)調(diào)20納米是個完整的制程世代，但20納米是為蘋果量身打造，順勢量產(chǎn)A8處理器芯片，造成20納米與16納米量產(chǎn)時程太近，部分客戶寧愿直接導(dǎo)入16納米，讓臺積電在16納米發(fā)展更加謹(jǐn)慎，以穩(wěn)固先進(jìn)制程市占率。