武漢新芯：成就國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)路人

12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機與芯片聯(lián)動，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參與會議。會議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。

據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項目，是國家認定的首批重點集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存儲類邏輯芯片，包括動態(tài)存儲器(DRAM)，靜態(tài)存儲器(SRAM)，閃存(FLASH)等，這些產(chǎn)品是各類消費類電子產(chǎn)品的核心部件廣泛應(yīng)用于如計算機、數(shù)碼相機、MP4、數(shù)字家電、手機、顯示器等領(lǐng)域。半導(dǎo)體作為國家戰(zhàn)略部署產(chǎn)業(yè)，武漢新芯受惠于國家政策以及資金的支持。

王繼增先生在采訪中表示，新芯目前積極同國內(nèi)微電所、知名院校進行合作，布局尖端的技術(shù)領(lǐng)域。同時表達出愿與行業(yè)上下同仁，共同打造產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境。

全球應(yīng)用NOR閃存技術(shù)的產(chǎn)量保持在35億到40億的規(guī)模，由于在低容量市場收到廉價NAND器件的沖擊，所以其市場容量近一年下降了近10%，新芯會將產(chǎn)量維持在定量生產(chǎn)。其中45nm技術(shù)已做到8G，達到國際領(lǐng)先水平。

對于公司未來的發(fā)展，王繼增先生指出，在OEM代工市場，中芯國際等企業(yè)已經(jīng)達到較高的發(fā)展水平，新芯將走差異化的發(fā)展，在分析國內(nèi)外市場之后，發(fā)現(xiàn)3D NOR技術(shù)封裝將是未來發(fā)展的重點方向，集成電路在技術(shù)研發(fā)中，會發(fā)現(xiàn)伴隨著芯片的壓縮，其成本會大幅度提高。2015年3D NOR將替代2DNOR實現(xiàn)高速發(fā)展水平。

從全球來看，3D NOR市場還在起步階段，目前只有三星產(chǎn)出樣品，新芯將在此項技術(shù)加大投入，決心成為中國存儲半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)。3D NOR的發(fā)展相比芯片萎縮會節(jié)約大量的成本，國內(nèi)市場需求占據(jù)全球近半數(shù)，在保證45nm技術(shù)的同時，進行3d技術(shù)提升，并將揉合mobile rom設(shè)計，伴隨著終端設(shè)備功能的不斷完善，對芯片的需要也逐年增加，技術(shù)要求也增強。新芯的目標打造ISM(集成次系統(tǒng)組件)制造商，進行自有存儲品牌生產(chǎn)。