臺積電擬2013年用ARMv8作為16nm FinFET制程的驗證

臺積電在上周二的年會上公布了該公司的路線圖，其中提到他們將會在明年年底開始嘗試用 ARM 的第一個 64-bit 處理器(ARMv8 指令集)來作為 16nm FinFET 制程的驗證。

按照這份路線圖，臺積電計劃在 2013 年 11 月開始早期性或者說風(fēng)險性 16nm FinFET 制程生產(chǎn)，這樣的進(jìn)度計劃類似于 Globalfoundries 的 2013 制造 20nm 芯片、2014 年生產(chǎn) 14nm FinFET 進(jìn)程。

據(jù)介紹，臺積電的 16nm FinFET 制程在 back-end 方面類似于 20nm 金屬門 SOC 制程，這樣的做法也許可以讓晶圓廠避免全新工藝節(jié)點而出現(xiàn)的復(fù)雜度和成本。

臺積電將會在明年 1 月份完成 16nm 制程的芯片設(shè)計包，11 月試產(chǎn)，而量產(chǎn)化的芯片物理設(shè)計遞交將在此后的 4~5 個季度后。

FinFET 制程的漏電流特征和 20nm 一樣，但是性能比 20nm 制程可以提升 35%，供電縮減 35%。