工藝進(jìn)步刺激主頻戰(zhàn)升級(jí) ARM將出3GHz芯片

由于傳統(tǒng)X86架構(gòu)和ARM架構(gòu)的競(jìng)爭(zhēng)，處理器的工藝可謂是一年比一年先進(jìn)，隨著臺(tái)積電、GlobalFoundries在2014年批量投產(chǎn)20nm工藝，ARM處理器在工藝上的被動(dòng)局面將會(huì)有所緩解。目前由于28nm工藝的限制，無(wú)論是高通的驍龍800，還是NVIDIA Tegra 4i，主頻最高只能達(dá)到2.3GHz，A15架構(gòu)的Tegra 4則只能達(dá)到1.8GHz。

臺(tái)積電方面日前表示，在20nm工藝下，處理器主頻可以提速30%，同時(shí)晶體管密度增加1.9倍，功耗則降低25%。這樣的表態(tài)對(duì)于ARM處理器來(lái)說無(wú)疑是天大的好消息，僅靠工藝升級(jí)就能將主頻提升到3GHz，同時(shí)還有更多可用的晶體管來(lái)添加新的功能模塊。

功耗的降低還能帶來(lái)更低的發(fā)熱量和更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。不過，這個(gè)降低25%只是指同頻條件下，如果處理器主頻真的達(dá)到3GHz，那實(shí)際上耗電量是在增加。

NVIDIA的下一代整合開普勒架構(gòu)圖形核心的Logan Tegra使用臺(tái)積電20nm已成板上釘釘，A15架構(gòu)的高功耗、高發(fā)熱量難題也有望因此迎刃而解。PowerVR 6系列圖形核心同樣宣布了很久，恐怕也是現(xiàn)有工藝不足以支撐的緣故，估計(jì)等到20nm甚至16nm出現(xiàn)后，這種情況才能有所改變。

英特爾Atom即將轉(zhuǎn)向22nm(AMD APU依然是28nm)，這么看，明年將是ARM的工藝爆發(fā)年。不過，英特爾在新工藝加新架構(gòu)的Atom帶領(lǐng)下，目前仍可瞬秒ARM。再加上后年就會(huì)出推出14nm工藝，ARM的路還很長(zhǎng)。