非極性面研發(fā)活躍 美通過再生長試制出m面底板

美國Kyma Technologies與美國北卡羅來納州立大學的研究小組從c面GaN底板上切下m面，使其再生長，試制出了m面GaN底板。并在2007年9月16～21日于美國拉斯維加斯舉行的“ICNS-7”上進行了發(fā)布。

GaN結晶m面是一種非極性面。所謂非極性面是指與GaN結晶通常使用的c面互相垂直的面。GaN系LED、半導體激光器、高頻元件以及電源電路的開關元件等，通常使用GaN結晶的c面。使用非極性面的話，估計可以提高GaN系半導體元件的特性。比如，發(fā)光元件，有可能提高發(fā)光效率。因此，近來關于非極性面的研發(fā)非?；钴S，對非極性面底板的要求也越來越高。除該小組外，三菱化學也在致力于非極性底板的研發(fā)。

此次的試制品通過使從GaN結晶（沿c軸方向生長）上切下的m面GaN底板再生長而實現(xiàn)。c軸方向和m軸方向的生長均利用了HVPE法。切下m面之后利用CMP進行了研磨。尺寸為4mm×8mm。位錯密度為106～105cm-2級。