LED測(cè)試的國(guó)內(nèi)國(guó)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)列表

1.國(guó)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀

普通LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有：

(1)IEC60747-5 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits(1992)

IEC60747-5半導(dǎo)體分立器件及集成電路

(2)IEC60747-5-2 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part5-2:Optoelectronic devices-Essential ratings and characteristics(1997-09)

IEC60747-5-2分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件5-2：光電子器件—分類特征及要素(1997-09)

(3)IEC60747-5-3Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part5-3:Optoelectronic devices-Measuring methods(1997-08)

IEC60747-5-3分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件5-3：光電子器件—測(cè)試方法(1997-08)

(4)IEC60747-12-3 Semiconductordevices-part12-3:optoelectronic devices–Blank detail specification for light-emitting diodes–Display application(1998-02)

IEC60747-12-3半導(dǎo)體分立器件12-3：光電子器件—顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)標(biāo)準(zhǔn)(1998-02)

(5) CIE127-1997 Measurement of LEDs(1997)

CIE127-1997LED測(cè)試方法(1997)

(6) CIE/ISO standards on LED intensity measurements

CIE/ISOLED強(qiáng)度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)際照明委員會(huì)(CIE)1997年發(fā)表CIE127-1997 LED測(cè)試方法，把LED強(qiáng)度測(cè)試確定為平均強(qiáng)度的概念，并且規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試結(jié)構(gòu)和探測(cè)器大小，這樣就為L(zhǎng)ED準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)奠定了基礎(chǔ)。雖然CIE127-1997測(cè)試方法并非國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，但它容易實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)，目前世界上主要企業(yè)都已采用。但是隨著技術(shù)的快速發(fā)展，許多新的LED技術(shù)特性CIE127-1997 LED測(cè)試方法沒有涉及。

目前，隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，發(fā)達(dá)國(guó)家非常重視LED測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的制訂。如美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究所(NIST)正在開展LED測(cè)試方法的研究，準(zhǔn)備建立整套的LED測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，許多國(guó)外大公司的研究和開發(fā)人員正在積極參與國(guó)家和國(guó)際專業(yè)化組織，制訂半導(dǎo)體照明測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。如2002年10月28日，美國(guó)Lumileds公司和日本Nichia宣布雙方進(jìn)行各自LED技術(shù)的交叉授權(quán)，并準(zhǔn)備聯(lián)合制訂功率型LED標(biāo)準(zhǔn)，以推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用。

2.國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀

從八十年代初起，我國(guó)相繼制定了一些與發(fā)光二極管相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)內(nèi)現(xiàn)有與LED測(cè)試有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)有：

(1)Sj2353.3-83半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

(2)Sj2658-86半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法

(3)GB/T12561—1990發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

(4)GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路：光電子器件(國(guó)家標(biāo)準(zhǔn))

(5)GB/T18904.3—2002半導(dǎo)體器件12-3:光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范(采用IEC60747-12-3:1998)

(6)半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-2部分：光電子器件基本額定值和特性(國(guó)家標(biāo)準(zhǔn);制訂中)

(7)半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分：光電子器件測(cè)試方法(國(guó)家標(biāo)準(zhǔn);制訂中)

(8)半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法(中國(guó)光協(xié)光電器件分會(huì)標(biāo)準(zhǔn);2002)