雖然從LED主要技術(shù)指標來看，我國LED產(chǎn)業(yè)還有很大的推進空間，還需在初具規(guī)模的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上，加大對LED的研發(fā)力度，掌握LED核心技術(shù)，突破國外專利制約，進一步拓展國內(nèi)外半導(dǎo)體照明市場，為人們提供更加節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境?，F(xiàn)對于目前芯片領(lǐng)域的發(fā)展概況及未來與LED進行競爭的幾種新型材料加以總結(jié)。
1.LED襯底簡況
目前用于LED產(chǎn)業(yè)化的襯底主要有藍寶石(Al2O3)、SiC、Si和GaN。
Cree用SiC襯底，全球很多企業(yè)正在開發(fā)Si襯底，東芝曾經(jīng)宣布投產(chǎn)8″Si襯底。其余的企業(yè)以藍寶石為主，全球生產(chǎn)藍寶石襯底有130多家，其中80多家是近兩年加入的。目前以2″和4″襯底片為主，幾年后將以6″為主，會達到50%以上。有人預(yù)測2016年藍寶石、Si和GaN這三類襯底將各占三分之一。近幾年全球正在研究開發(fā)很多LED新襯底，并取得突破性進展。
中國開發(fā)、生產(chǎn)藍寶石襯底的企業(yè)50多家，其中已投產(chǎn)20多家，我國生產(chǎn)能力已超過1億片/年(以2″計算)，超過全球的需求量，而且藍寶石企業(yè)直接生產(chǎn)PSS襯底的不多，目前藍寶石國產(chǎn)化約50%，企業(yè)的競爭力較差，走向轉(zhuǎn)型、整合、兼并是必然的。另外，南昌晶能采用Si襯底量產(chǎn)LED，國內(nèi)還有很多研究所、企業(yè)正在開發(fā)同質(zhì)襯底、復(fù)合襯底和SiC襯底，并取得很大成果。
2.LED外延及芯片產(chǎn)業(yè)簡況
全球從事LED外延及芯片研發(fā)生產(chǎn)單位約169家(另有報導(dǎo)為142家)，共有MOCVD設(shè)備約3000臺(另有報導(dǎo)為2800臺)，其生產(chǎn)能力以4″計算為200萬片/月，其中比例大約為：中國25.8%、臺灣21.8%、日本19.2%、韓國17.3%、美國11%、歐洲2.8%。
中國LED外延及芯片企業(yè)50多家，其中投產(chǎn)的30多家，開工率為50~60%，產(chǎn)量超過1000億只(含小芯片和四元系芯片)，產(chǎn)值約84億元(另有報導(dǎo)為105億元)。由于國內(nèi)上游企業(yè)過多，大部分企業(yè)規(guī)模偏小，走向整合、兼并是必然的。另外國內(nèi)有十幾二十家企業(yè)正在研發(fā)制造MOCVD設(shè)備，有的已在上游企業(yè)試用或正式投產(chǎn)。還有外延用的MO源：三甲基(鎵、銦、鋁、銻)、三乙基(鎵、銻)、二甲基鋅、二乙基(鋅、碲)等國產(chǎn)化率已達60%。
3.LED主要技術(shù)指標
日亞、飛利浦、歐司郎等幾個大企業(yè)實驗室水平，光效均超過200lm/w，Cree公司實驗室光效已超過276 lm/w。首爾半導(dǎo)體“npolo”LED，聲稱在1mm2芯片上要實現(xiàn)1000光通量，三菱化學(xué)同樣提出達1000lm光通量，稱為LED光源的終極目標。日本田村制作提出在2mm見方芯片要實現(xiàn)2000~3000 lm光通量。美國加洲大學(xué)圣巴巴拉分校提出光效要達到300 lm/w。美國Soraa公司采用GaN-on-GaN技術(shù)制作LED替代燈，使每盞燈用一只LED器件，譜寫了LED技術(shù)新篇章，即LED2.0版。美國SSL計劃修定中提出LED光效產(chǎn)業(yè)化水平達266 lm/w為終極目標。目前全球LED產(chǎn)業(yè)化光效水平為120~150 lm/w。
4.發(fā)光新材料
發(fā)光新材料將來有可能進入照明領(lǐng)域，與LED照明競爭。
(1)有機發(fā)光二極管
目前OLED有效的光效一般在30~60 lm/w，將在特種照明領(lǐng)域獲得應(yīng)用。據(jù)國外相關(guān)機構(gòu)預(yù)測：OLED照明市場于2021年將達400多億美元，另一機構(gòu)預(yù)測于2018年達400億美元。現(xiàn)階段主要問題除某些技術(shù)外，價格偏高，但前景是樂觀的。
(2)量子點發(fā)光技術(shù)
量子點(Quantun Dot簡寫QD)是用納米技術(shù)制作的，QD顆粒一般在2~12nm之間，量子點發(fā)光體由發(fā)光核、半導(dǎo)體殼、有機配位體組成，在電或短波光的激發(fā)下會發(fā)射不同波長的光，接近連續(xù)可見光光譜，例如CdSe(硒化鎘)當顆粒2.1nm時發(fā)藍光，當5nm時發(fā)射綠光，接近10nm時發(fā)射接近紅光，其優(yōu)點：發(fā)光穩(wěn)定、內(nèi)量子效率高。
目前量子點發(fā)光效率接近OLED水平，QD發(fā)光具有廣泛應(yīng)用，除了在顯示及照明領(lǐng)域外，還可應(yīng)用于藍光激光、光感測元件、單電子晶體管、記憶儲存……，現(xiàn)階段QD主要在顯示應(yīng)用上取得顯著效果，將最有希望替代OLED。在照明方面與LED結(jié)合產(chǎn)生色彩豐富，十分明亮的暖白光。
(3)超薄非結(jié)晶電介層發(fā)光芯片
由美國德洲農(nóng)機大學(xué)化學(xué)工程系開發(fā)的一種發(fā)光芯片、采用在硅晶園上進行室溫濺射沉積方法，制成電介質(zhì)膜，其中有納米晶層，可提升發(fā)光密度，在工藝中可與硅IC兼容，工藝簡單，是個新的納米發(fā)光材料技術(shù)。雖然目前發(fā)光壽命較短，但將來會更長。
上述幾種發(fā)光新材料，OLED在照明領(lǐng)域的份額遲早提升，而且會在特殊照明領(lǐng)域中占有一定比例。至于量子點及超薄介質(zhì)中的發(fā)光層均為納米級量子層，是納米發(fā)光新材料。應(yīng)要高度重視納米發(fā)光技術(shù)的研究和開發(fā)，將來有可能進入照明領(lǐng)域，并替代LED照明產(chǎn)品。
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