Fairchild收購Raytheon射頻元件機構部

時間：2004-12-20 19:53:00

關鍵字： FAIRCHILD 射頻元件 BSP 飛兆半導體

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[導讀] 飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)宣布，現(xiàn)已收購Raytheon公司屬下射頻元件機構的商業(yè)事業(yè)部。通過是次收購行動，飛兆半導體得以迅速進入包括無線區(qū)域網(wǎng)絡和手機功率放大...

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，現(xiàn)已收購 Raytheon 公司屬下射頻元件機構的商業(yè)事業(yè)部。

通過是次收購行動，飛兆半導體得以迅速進入包括無線區(qū)域網(wǎng)絡和手機功率放大器等應用的高端射頻 (RF) 市場。這項協(xié)議還將砷化鎵單片式微波集成電路 (GaAs MMIC) 納入了飛兆半導體種類繁多的多元終端產(chǎn)品用高性能構件系列。該業(yè)務部將歸納于以飛兆半導體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 Izak Bencuya 博士為首的飛兆功率分立器件部。

Bencuya 稱：“在飛兆半導體現(xiàn)有的功率產(chǎn)品中增添射頻功率放大器，增強了飛兆半導體在無線通信市場的地位，同時能夠擴大公司在無線區(qū)域網(wǎng)絡 (WLAN) 和手機領域的設計機會。據(jù)研究機構 Strategy Analytics 預測，到 2006 年砷化鎵功率放大器的市場規(guī)模將達到 7.7 億至 12 億美元，復合年增長率為16%，這將是飛兆半導體Power Franchise™ 計劃的另一個發(fā)展方向。我們預期到 2004 年下半年該項業(yè)務的每季銷售額將超過 500 萬美元?！?/P>

此外，飛兆半導體亦收購了 Raytheon 公司的砷化鎵晶圓的晶圓代加工合作協(xié)議，以及WIN半導體公司的部份股權，同時有權使用 Raytheon 公司在馬薩諸塞州安杜佛市 (Andover) 的晶圓代加工廠和支持服務。

這項資產(chǎn)收購協(xié)議和知識產(chǎn)權轉(zhuǎn)讓的內(nèi)容之一，是30 多位 Raytheon 公司的設計人員、測試工程師和業(yè)務發(fā)展雇員將加入飛兆半導體。Raytheon 公司射頻元件機構前任業(yè)務發(fā)展副總裁 Russ Wagner 將領導這個團隊。

此項協(xié)議的財務安排詳情未有透露。

飛兆半導體新的射頻元件機構開發(fā)和大批量生產(chǎn)無線通信用元器件，其中包括 GaAs MMIC、傳送和接收模塊，以及半導體器件。應用包括 HBT 和 pHEMT 功率放大器以及用于手機和 WLAN 的低噪聲放大器。其它產(chǎn)品包括用于無線電基站、數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)和毫米波系統(tǒng)的元件，以及用于太空通信系統(tǒng)的發(fā)送/接收模塊。