TD-LTE芯片跛足前行

今年6月初，中國(guó)移動(dòng)借NGMN 2010大會(huì)向全球主流運(yùn)營(yíng)商展現(xiàn)了TD-LTE三年來的產(chǎn)業(yè)化成果，證明了TD-LTE的技術(shù)成熟度和商用能力。同月，TD-LTE工作組開始TD- LTE的第一輪測(cè)試，來檢驗(yàn)芯片及終端達(dá)到的水平。從中國(guó)移動(dòng)的世博會(huì)試驗(yàn)網(wǎng)及TD-LTE工作組測(cè)試情況來看，TD-LTE芯片及終端產(chǎn)業(yè)漸入佳境，測(cè)試有條不紊地進(jìn)行，但芯片環(huán)節(jié)仍然表現(xiàn)出了一些問題，已經(jīng)影響到TD-LTE整體測(cè)試的進(jìn)度。

　　TD-LTE終端商用接近FDD

　　在NGMN 2010大會(huì)上，中國(guó)移動(dòng)演示了世博園內(nèi)視頻監(jiān)控的移動(dòng)寬帶應(yīng)用，取得了不錯(cuò)的效果。某芯片廠商人士對(duì)本刊表示，運(yùn)營(yíng)商的TD-LTE試驗(yàn)的目的與TD- LTE工作組不一樣，運(yùn)營(yíng)商是為了檢驗(yàn)TD-LTE商用的進(jìn)度。中國(guó)移動(dòng)在世博會(huì)的TD-LTE演示雖說具備了一定的規(guī)模，能夠體現(xiàn)TD-LTE的帶寬能力，證明了TD-LTE技術(shù)的可用性，但是芯片及相應(yīng)的終端距離標(biāo)準(zhǔn)還有一定的差距，特別是在兼容性方面還欠缺，這些都需要與TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)共同完善。

　　該人士所指的兼容性是終端的互通性、互操作和互用性等。中國(guó)移動(dòng)也表示，TD-LTE終端與系統(tǒng)IOT(互通性測(cè)試)進(jìn)展與FDD存在較大的差距，F(xiàn)DD產(chǎn)業(yè)鏈中已經(jīng)有一家廠商提交了IOT測(cè)試全集結(jié)果，TD-LTE領(lǐng)域則有一家廠商提交了Uu 口結(jié)果。

　　同時(shí)，相對(duì)于FDD，TD-LTE終端廠家的數(shù)量太少，目前只是芯片廠商自己拿出USB數(shù)據(jù)卡完成測(cè)試和試驗(yàn)。但是對(duì)于TD-LTE終端商用時(shí)間，中國(guó)移動(dòng)認(rèn)為會(huì)與FDD接近。上述廠商人士也表示，F(xiàn)DD起步比TD-LTE早，產(chǎn)業(yè)鏈更成熟，但是TD-LTE距離產(chǎn)業(yè)成熟在技術(shù)上只是一個(gè)過程，一到兩年后，TD-LTE就能夠達(dá)到FDD商用成熟的程度，到那時(shí)就相當(dāng)于趕上FDD了。

　　芯片環(huán)節(jié)還需進(jìn)一步加快

　　終端成熟商用的關(guān)鍵在于芯片。在NGMN 2010大會(huì)上，中國(guó)移動(dòng)研究院院長(zhǎng)黃曉慶就表示，TD-LTE芯片的進(jìn)展仍處于落后的位置，中國(guó)移動(dòng)已經(jīng)和主流芯片廠商開始合作TD-LTE芯片的研發(fā)。在工信部電信研究院TD-LTE工作組近日組織的TD-LTE測(cè)試中，同樣發(fā)現(xiàn)了芯片環(huán)節(jié)還存在諸多問題，這都需要在后續(xù)的研發(fā)和測(cè)試中陸續(xù)解決。

　　目前，TD-LTE芯片廠商有多達(dá)十余家，其中在基帶芯片方面，創(chuàng)毅視訊、海思、Sequans及高通等已經(jīng)或即將達(dá)到ASIC階段，聯(lián)芯科技、重郵信科以及中興還處于FPGA階段，已經(jīng)在近期提供或即將提供FPGA開發(fā)調(diào)試板，與系統(tǒng)調(diào)試，這些企業(yè)將在今年年底至明年年初推出樣卡，ST- Ericsson和展訊的計(jì)劃也在明年。而在射頻芯片方面，在TD領(lǐng)域表現(xiàn)良好的廣晟微電子的工程樣片已經(jīng)流片，但是根據(jù)芯片廠商的說法，目前TD- LTE射頻芯片嚴(yán)重缺失，專用射頻芯片入門條件很高，普通的射頻芯片無法滿足測(cè)試，現(xiàn)在大多廠商都在使用聯(lián)芯科技提供的一款射頻芯片。

　　在此次TD-LTE工作組組織的測(cè)試中，基于ASIC的海思及創(chuàng)毅視訊、基于FPGA的重郵信科、聯(lián)芯科技及蘇州簡(jiǎn)約納等6家芯片廠商參與了與系統(tǒng)的互通測(cè)試。

　　階段性的測(cè)試結(jié)果顯示，目前芯片的進(jìn)展不是很樂觀，芯片進(jìn)度需要進(jìn)一步加快。芯片和系統(tǒng)間的調(diào)試相對(duì)理想，在將近一個(gè)月的時(shí)間內(nèi)完成了60%，但是芯片環(huán)節(jié)表現(xiàn)出了穩(wěn)定性不高的問題，部分FPGA沒有調(diào)通。此外，多模終端還存有問題，只是硬件實(shí)現(xiàn)，軟件還支持不了。

　　前述廠商人士表示，目前TD-LTE芯片的測(cè)試就像是考試，對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)一項(xiàng)一項(xiàng)地過，所以測(cè)試的結(jié)果是一個(gè)滿足標(biāo)準(zhǔn)的百分比。該廠商目前取得了及格偏高的成績(jī)，而且硬件方面的表現(xiàn)比預(yù)期的還要好。

　　該人士還表示，TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)還在不斷變化中，芯片廠商只能基于某一版本進(jìn)行開發(fā)，然后再對(duì)照最新版本進(jìn)行更新，這也會(huì)影響芯片進(jìn)度。此外，對(duì)于TD-LTE這個(gè)新事物，廠商只能按照對(duì)協(xié)議的理解來開發(fā)，加上測(cè)試手段很缺乏，雖然符合了原理，但是到現(xiàn)實(shí)測(cè)試中，結(jié)果又不一定了。

　　此外，測(cè)試終端質(zhì)量和數(shù)量的限制，導(dǎo)致TD-LTE測(cè)試的某些選項(xiàng)都無法進(jìn)行，特別是可選測(cè)試部分，參與的企業(yè)較少。因此，推動(dòng)TD-LTE芯片快速發(fā)展迫在眉急，工信部已經(jīng)提出“扶優(yōu)扶強(qiáng)”的計(jì)劃來推進(jìn)芯片的發(fā)展。而作為產(chǎn)業(yè)鏈主導(dǎo)的中國(guó)移動(dòng)更應(yīng)該發(fā)揮作用，再次啟動(dòng)終端或芯片的專項(xiàng)激勵(lì)基金不失為一個(gè)好辦法。