恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。9月28日，恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺部部長酈舟劍出席了實驗中心的開幕慶典，宣布即日起實驗中心正式投入使用。這標志著恩智浦和華為技術(shù)有限公司的業(yè)務(wù)聯(lián)系與技術(shù)合作進入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位獲得廣泛認可。

恩智浦與華為全力支持實驗中心建設(shè)，包括購買相關(guān)的儀器設(shè)備、建立自動化測試平臺、人員配備等。實驗中心秉承恩智浦與華為在射頻應(yīng)用設(shè)計領(lǐng)域的經(jīng)驗和創(chuàng)新理念，在無線基站相關(guān)的射頻功率領(lǐng)域，對前沿技術(shù)進行更為深入的合作和拓展開發(fā)，進一步推動無線基站向著綠色、環(huán)保、經(jīng)濟的方向演進。

恩智浦射頻產(chǎn)品種類豐富，覆蓋從用于功率放大器的高功率LDMOS到用于RF/IF單片微波集成電路的最新SiGe:C BiCMOS。此外，先進的高速轉(zhuǎn)換器CMOS工藝滿足客戶對射頻前端系統(tǒng)的市場需求。恩智浦所有技術(shù)均由公司內(nèi)部設(shè)計和生產(chǎn)，可根據(jù)具體應(yīng)用進行有針對性的定制開發(fā)。