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    日前,賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布計劃出售旗下專門供應磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems(SMS)。賽普拉斯CEO T.J. Rodgers說:“經過三年的不懈努力,我們已于1月份向七大OEM廠商客戶提供了全功能的MRAM樣片。正如我們在1月27召開的季度總結電話會議上所宣稱的那樣,其中三家客戶仍處于其評估過程中的驗證階段,另外四家則向我們表示對產品功能非常滿意?!?/P>

    “賽普拉斯提供樣片的產品是256KB MRAM,該產品可與賽普拉斯在過去15年已銷售的數(shù)千萬靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)產品進行引腳對引腳的兼容。我們熟知有些公司會購買賽普拉斯256KB SRAM,并將其配上電池,開發(fā)出所謂的電池備援SRAM,從而在斷電時保留數(shù)據(jù)。這些電池備援SRAM,以及與非易失性SRAM屬性相關的產品可以在諸如蜂窩基站與海量存儲系統(tǒng)等設備中使用,這些設備在斷電后必須適當?shù)闹匦聠印_@些非易失性SRAM的年銷售額大約為4千萬美元。我們的戰(zhàn)略是首先在這些產品中使我們的MRAM技術實現(xiàn)商業(yè)化,其次再向電池備援MRAM市場發(fā)展,然后通過添加到我們的產品系列而不斷發(fā)展壯大。”

    Rodgers繼續(xù)說:“我們的MRAM計劃的第二個階段是開發(fā)高密度MRAM系列,其密度范圍為4到64兆位。這部分MRAM市場遠遠超過電池備援SRAM市場,部分原因是:如果MRAM位成本可降低至與SRAM位成本相同,則它可能會從數(shù)十億美元的標準SRAM市場奪取一部分市場份額。我們的電池備用MRAM單元利用了每位三個晶體管與兩個磁性通道接點(3T-2MTJ)。在較高密度的MRAM中,您只需切換到更簡單、更密集的1T-1MTJ 組件(cell)即可獲得顯著的經濟效應。1T-1MTJ 組件比 3T-2MTJ 組件更難設計和制造,Cypress開發(fā)3T-2MTJ的目的是解決MRAM在商業(yè)化進程中所面臨的設計與制造問題,盡管某些全球最出色的半導體公司投入了數(shù)十年的工作,但仍未圓滿解決這一問題。

    “根據(jù)我們對賽普拉斯的最新統(tǒng)計結果,我們不再認為 1T-1MTJ MRAM 技術能夠順利攻搶SRAM市場,從而使 MRAM 繼續(xù)保持位價格高于 SRAM 的一項產品技術。盡管 MRAM 業(yè)務在Cypress的產品系列中可能是一項獲利來源,但與資金密集型 MRAM 業(yè)務相比,目前還有更多具有吸引力的領域有待我們去投資。例如,本季度我們的SunPower太陽能電池業(yè)務收入預計為1000萬美元,其增長率遠遠超過了我們對 MRAM業(yè)務的最高期望值?!?/P>

    Rodgers補充說:“做出此項決定對我來說尤其困難,因為自我開始MRAM工作以來就一直與該小組與此技術密不可分。毫無疑問,這也是我在職業(yè)生涯中合作過的最出色的技術小組。雖然他們的小組成員只有28人,包括管理、市場營銷及財務人員,但他們在短短的三年內便將產成品成功地推向市場。”

 

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