富士通將建立65nm工藝技術(shù)的晶圓廠

富士通株式會社近日宣布將建立一個新的晶圓廠，采用最先進(jìn)的65納米工藝技術(shù)和300毫米的晶圓大批量生產(chǎn)邏輯半導(dǎo)體。該工廠將建在位于日本中部三重縣的富士通三重半導(dǎo)體工廠內(nèi)，這將是該工廠第二個300毫米晶圓廠，以下稱簡稱為“300毫米晶圓二廠”。通過建立新的晶圓廠，富士通不僅能夠滿足日益增長的對采用先進(jìn)工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體的需求，更能基于其先進(jìn)的技術(shù)繼續(xù)提供最優(yōu)化解決方案和高性能產(chǎn)品，繼續(xù)成為客戶可信賴的業(yè)務(wù)伙伴。

擁有雙層潔凈室結(jié)構(gòu)的300毫米晶圓二廠計劃在2006會計年度內(nèi)建成（2006年4月至2007年3月），并將于2007年4月投入運(yùn)營，預(yù)計于2007年7月起開始批量出貨。 

在至2007會計年度末的兩年時間內(nèi)，富士通將為新晶圓廠投入約1200億日元，使月生產(chǎn)能力達(dá)到10,000片晶圓。公司還將在市場需求趨勢預(yù)測的基礎(chǔ)上分階段追加投資。富士通希望該廠的最大月生產(chǎn)能力能達(dá)到25,000片晶圓。

300毫米晶圓一廠是在三重工廠建成的第一個300毫米晶圓廠，擁有采用90納米技術(shù)大批量生產(chǎn)300毫米晶圓的生產(chǎn)線，于2005年4月起開始運(yùn)營，其月生產(chǎn)能力將在2006會計年度達(dá)到15,000片晶圓。

富士通能夠提供同時實現(xiàn)高速運(yùn)行和低能耗的先進(jìn)工藝技術(shù)，其晶體管技術(shù)、銅線和低介電常數(shù)（*1）工藝技術(shù)極具競爭力，受得了客戶的一致好評。另外，富士通還憑借其令一次性成功完全運(yùn)行（*2）成為可能的設(shè)計方法（*3）而大獲成功。富士通正不斷地與其全球技術(shù)伙伴進(jìn)行磋商，并預(yù)期從2007會計年度開始，需求將大大地超過現(xiàn)在運(yùn)營的300毫米晶圓一廠的生產(chǎn)能力。

300毫米晶圓二廠將擁有雙層潔凈室結(jié)構(gòu)，可方便地擴(kuò)大產(chǎn)能，它的建立將確保富士通能夠向其客戶穩(wěn)定地提供先進(jìn)的邏輯芯片。

300毫米晶圓二廠簡介
1.    工藝技術(shù)：        65納米和90納米CMOS邏輯
2.    晶圓直徑：        300毫米
3.    建筑特點：        抗震建筑；潔凈室面積：24,000平方米（最大產(chǎn)能時）
4.    生產(chǎn)能力：        10,000片晶圓/月（2007會計年度投產(chǎn)），最大產(chǎn)能25,000片晶圓/月
5.    計劃開業(yè)日期：    2007年4月

300毫米晶圓一廠簡介
1.    工藝技術(shù)：     90納米和65納米CMOS邏輯
2.    晶圓 直徑：    300毫米
3.    建筑特點：     抗震建筑；潔凈室面積：12,000平方米
4.    生產(chǎn)能力：     15,000片晶圓/月（2006會計年度內(nèi)）
5.    開業(yè)日期：           2005年4月