低成本有機場效應晶體管研究取得新進展

近年來，有機場效應晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應用前景而備受學術界和工業(yè)界的關注，并取得了長足的發(fā)展。

此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應的源漏電極并得到了高性能器件，之后通過納米結構電極的構筑，研究了電極形貌與器件性能的關系。近期，該實驗室在低成本高性能有機場效應晶體管的研究方面又取得新進展，他們利用低功函數的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結構的有機場效應晶體管。

對于有機光電器件，電極的功函和有機半導體的能級決定了載流子的注入，并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數p型有機半導體形成良好的接觸，從而被廣泛用作p型有機場效應晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設計和器件表征發(fā)現，銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物，這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外，良好的電極/半導體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應晶體管的實用化奠定了良好的基礎。