金融危機(jī)沖擊下 日本內(nèi)存業(yè)開發(fā)依然活躍

可稱為半導(dǎo)體業(yè)界奧運(yùn)會的“ISSCC 2009”大會新聞發(fā)布會，日前在東京舉行。會上宣布，ISSCC 2009大會將于2月8日～12日在美國舊金山舉行。ISSCC籌委會希望參會者達(dá)到上年水平的約3500人。

金融危機(jī)沖擊著電子產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)人員卻在全力拼搏。這一點(diǎn)將體現(xiàn)在ISSCC 2009大會的內(nèi)存發(fā)展史中。例如，亮相于ISSCC大會的NAND閃存（multi-level cell：MLC）的高度集成化趨勢，在1999年～2008年間以年均約55％的速度提高。其增勢超過了摩爾定律。其實，展望將在2009年ISSCC大會亮相的NAND閃存的容量，就可以看出，NAND閃存將以超過此前55％年均增長率的速度實現(xiàn)大容量化。

在目前經(jīng)濟(jì)蕭條的情況下，NAND閃存何以能比以前更快地實現(xiàn)大容量化？一言以蔽之，原因在于“打總體戰(zhàn)”。NAND閃存的價格以前所未有的速度持續(xù)下跌，內(nèi)存廠商對此一籌莫展。為了使成本低于市場價格，內(nèi)存廠商投入了其全部技術(shù)。具體而言，即3Xnm工藝的微細(xì)化和3bit/單元以上的超多值化。例如，東芝及美國SanDisk將聯(lián)合發(fā)布在35nm以下工藝微細(xì)加工技術(shù)中組合應(yīng)用3bit/單元多值化技術(shù)開發(fā)出的32Gbit產(chǎn)品（論文編號13.4）。芯片面積只有113mm2。這兩家公司還將聯(lián)合發(fā)布應(yīng)用4bit/單元技術(shù)的64Gbit NAND閃存（論文編號13.6）。該產(chǎn)品采用43nm工藝半導(dǎo)體技術(shù)制造，芯片面積稍大，為244mm2，如果微細(xì)化到3Xnm工藝，則商用芯片有可能早日面世。

ISSCC 2009大會上SSD（solid state drive）技術(shù)也在疾速進(jìn)步。支撐SSD今后技術(shù)進(jìn)步的將是3維堆疊技術(shù)?！皩SD而言，降低耗電量將是今后的一大課題。通過3維堆疊技術(shù)實現(xiàn)SSD相關(guān)電源系統(tǒng)及接口將成為大潮流”（ISSCC 2009大會遠(yuǎn)東地區(qū)委員會）。目前在3維堆疊SSD領(lǐng)域處于全球領(lǐng)先地位的是日本東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科電氣工程學(xué)專業(yè)及工學(xué)系電氣電子工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組。竹內(nèi)的小組將在ISSCC 2009大會上與東芝聯(lián)合發(fā)布面向3維SSD的電源系統(tǒng)技術(shù)（論文編號13.2）。通過導(dǎo)入名為適應(yīng)控制增壓轉(zhuǎn)換器的技術(shù)，可將SSD用內(nèi)存內(nèi)核的耗電量降低68％。

3維堆疊技術(shù)對DRAM而言同樣重要。韓國三星電子（Samsung Electronics）計劃在ISSCC 2009大會上公布采用硅貫通電極技術(shù)，3維堆疊4個2Gbit DRAM的8Gbit DRAM（論文編號7.2）。在應(yīng)用硅貫通電極技術(shù)的DRAM技術(shù)開發(fā)方面，爾必達(dá)內(nèi)存等公司在全球處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在三星已開始奮起直追。

與日益嚴(yán)峻的業(yè)務(wù)環(huán)境正相反，目前內(nèi)存業(yè)界的技術(shù)開發(fā)頗為活躍。為了如實地展現(xiàn)開發(fā)人員的充足干勁，本刊籌備舉辦內(nèi)存系統(tǒng)相關(guān)研討會。除了在超多值化領(lǐng)域領(lǐng)先全球的東芝NAND閃存戰(zhàn)略之外，從事上述3維SSD技術(shù)研究的東京大學(xué)竹內(nèi)健以及爾必達(dá)內(nèi)存，還將公布包括硅貫通電極技術(shù)在內(nèi)的最新技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略。說不定能在研討會上提前聽到ISSCC 2009大會上的內(nèi)容。