JSR與IBM就共同開發(fā)32/22nm節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體新材料達(dá)成協(xié)議

從事電子相關(guān)材料業(yè)務(wù)等的JSR子公司——美國(guó)JSR Micro與美國(guó)IBM就共同開發(fā)32nm工藝和22nm工藝半導(dǎo)體技術(shù)的新材料和工藝達(dá)成了合作協(xié)議。

此次締結(jié)協(xié)議的目的是，雙方將把低介電率層間絕緣膜（low-k）材料和光阻材料（Photoresist）等JSR此前開發(fā)并實(shí)現(xiàn)商用生產(chǎn)的材料群改進(jìn)為新一代產(chǎn)品。兩公司目前正致力于共同開發(fā)新CVD low-k材料、可制作新圖形的low-k絕緣材料、以及介電率小于2的超low-k絕緣材料等的相關(guān)技術(shù)。在平板印刷領(lǐng)域，兩公司此前已共同開發(fā)出尖端的ArF光阻材料等。新的共同開發(fā)項(xiàng)目的目標(biāo)是，解決將來在技術(shù)節(jié)點(diǎn)方面使用的圖形二次曝光（Double Patterning）相關(guān)技術(shù)和其它平板印刷材料的有關(guān)課題。