Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎
[導讀] 該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。
《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。
《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的數(shù)百款產(chǎn)品當中精挑細選出年度產(chǎn)品。Vishay的SiR440DP因其優(yōu)異的性能而被選為功率MOSFET類的獲獎產(chǎn)品。
《今日電子》的2008年度產(chǎn)品獎公布在2009年2月期上，每個產(chǎn)品均配有簡介。完整的獲獎產(chǎn)品名單公布在 /awards2009.htm。
在同檔電壓等級、采用PowerPAK® SO-8封裝的同類產(chǎn)品中，Vishay的SiR440DP具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積，導通電阻與柵極電荷乘積是DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值（FOM）。該MOSFET在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導通電阻為 2.0 mΩ，在10V柵極驅(qū)動時最大導通電阻為1.55 mΩ，導通電阻與柵極電荷乘積在4.5V時為87。
《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的數(shù)百款產(chǎn)品當中精挑細選出年度產(chǎn)品。Vishay的SiR440DP因其優(yōu)異的性能而被選為功率MOSFET類的獲獎產(chǎn)品。
《今日電子》的2008年度產(chǎn)品獎公布在2009年2月期上，每個產(chǎn)品均配有簡介。完整的獲獎產(chǎn)品名單公布在 /awards2009.htm。
在同檔電壓等級、采用PowerPAK® SO-8封裝的同類產(chǎn)品中，Vishay的SiR440DP具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積，導通電阻與柵極電荷乘積是DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值（FOM）。該MOSFET在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導通電阻為 2.0 mΩ，在10V柵極驅(qū)動時最大導通電阻為1.55 mΩ，導通電阻與柵極電荷乘積在4.5V時為87。
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